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J-GLOBAL ID：201702233538597027   整理番号：17A1266880

安全なチップ認証のための1kビットアレイ32挑戦応答対生成>10~の可能なDRAMベースの物理的クローン不可能機能【Powered by NICT】

A DRAM based physical unclonable function capable of generating >10³² Challenge Response Pairs per 1Kbit array for secure chip authentication

著者 (7件)： Tang Qianying (Korea University, Seoul, Korea, University of Minnesota, Minneapolis, MN 55455 USA) ,  Zhou Chen (Korea University, Seoul, Korea, University of Minnesota, Minneapolis, MN 55455 USA) ,  Choi Woong (Korea University, Seoul, Korea, University of Minnesota, Minneapolis, MN 55455 USA) ,  Kang Gyuseong (Korea University, Seoul, Korea, University of Minnesota, Minneapolis, MN 55455 USA) ,  Park Jongsun (Korea University, Seoul, Korea, University of Minnesota, Minneapolis, MN 55455 USA) ,  Parhi Keshab K. (Korea University, Seoul, Korea, University of Minnesota, Minneapolis, MN 55455 USA) ,  Kim Chris. H. (Korea University, Seoul, Korea, University of Minnesota, Minneapolis, MN 55455 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CICC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 弱い保持細胞の位置を利用したDRAMベースの物理的複製不可能関数(PUF)を65nm CMOSで実証した。ランダムパターンはDRAMの小断面に書かれている新しい認証方式はDRAM PUFを提案し,次に保持故障は誘導した。チャレンジ応答対(CPR)の数をさらに増加させるために,追加の保持故障が誘起された保持故障を含むデータパターンは異なるメモリ位置に移動する。この方式は,1kbitアレイから10~32以上のユニークなCRPを可能にした。PUF応答の安定性を改善するために,零オーバヘッド反復ライトバック技術とともにビットマスキングを利用した。各認証術前読出し基準電圧とリフレッシュ時間を調整することによって緩和された電圧および温度誘起不安定性。提案したDRAM PUFは0.68μm~2のビットセル面積をもっている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不安定性 ,  CMOS ,  *DRAM ,  故障 ,  *安全性 ,  *クローン ,  記憶装置 ,  *認証 ,  電圧 ,  複製 ,  *対生成
準シソーラス用語： 基準電圧 ,  読出し , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 認証 ,  ビットアレイ ,  応答 ,  対生成 ,  DRAM ,  物理 ,  クローン