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J-GLOBAL ID：201702233539199278   整理番号：17A1713472

Cu(In,Ga)Se_2太陽電池における中間バッファ層としてTiO_2【Powered by NICT】

TiO₂ as intermediate buffer layer in Cu(In,Ga)Se₂ solar cells

著者 (7件)： Lockinger Johannes (Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, Empa - Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, 8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Nishiwaki Shiro (Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, Empa - Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, 8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Weiss Thomas P. (Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, Empa - Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, 8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Bissig Benjamin (Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, Empa - Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, 8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Romanyuk Yaroslav E. (Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, Empa - Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, 8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Buecheler Stephan (Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, Empa - Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, 8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Tiwari Ayodhya N. (Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, Empa - Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, 8600 Duebendorf, Switzerland)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 174  ページ： 397-404  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)太陽電池のバッファ層スタックの一部としてTiO_2の適用は,光起電力デバイスの性能の向上のために研究した。標準素子構成ではCdS/ZnO/Al:ZnO層スタックは,CIGS吸収体層上に適用した。CdSバッファ層の厚さを減少させることによって減少した寄生吸収から期待されるより高い光電流を測定した。CdS層は完全にCIGS表面を覆っていない場合,V_OCとFFの損失は,CIGS表面に発生した好ましくないCIGS/ZnOのバンド整列とスパッタ損傷によるI-V測定で観察された。ここでは,非意図的にドープしたZnOの代替としての低温で原子層堆積により堆積した薄いTiO_2層を示した。この方法では,光電流はV_OCに悪影響を与えることなく,増加させることができる。同等の装置効率は増加した直列抵抗により補償される電流密度の利得をもつ調べた構造と参照プロセスで達成された。1D SCAPSシミュレーションと結合した温度依存I-V測定は,FFを制限するCdS/TiO_2界面での相殺正伝導バンドを示唆した。薄いCdSバッファ層を適用した場合A LD TiO_2はスパッタしたZnOよりも適している中間バッファ層として示唆された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光電流 ,  伝導バンド ,  薄膜 ,  吸収体 ,  *バッファ層 ,  硫化カドミウム ,  温度依存性 ,  アラインメント ,  電流密度 ,  *太陽電池 ,  界面 ,  ドーピング ,  酸化亜鉛
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CIGS ,  TiO2 ,  バッファ層 ,  A LD

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu ,  Ga ,  太陽電池 ,  バッファ層