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J-GLOBAL ID：201702233555900595   整理番号：17A1119534

高効率太陽電池のためのCuInSe_2とCu_2ZnSnS_4における結晶粒界のナトリウム不動態化【Powered by NICT】

Sodium Passivation of the Grain Boundaries in CuInSe₂ and Cu₂ZnSnS₄ for High-Efficiency Solar Cells

著者 (11件)： Liu Cheng-Yan (Key Laboratory for Computational Physical Science (Ministry of Education), State Key Laboratory of Surface Physics and Department of Physics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Liu Cheng-Yan (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, 210093, Jiangsu, China) ,  Li Zhi-Ming (Key Laboratory for Computational Physical Science (Ministry of Education), State Key Laboratory of Surface Physics and Department of Physics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Li Zhi-Ming (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, 210093, Jiangsu, China) ,  Gu Hong-Yang (Key Laboratory for Computational Physical Science (Ministry of Education), State Key Laboratory of Surface Physics and Department of Physics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Gu Hong-Yang (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, 210093, Jiangsu, China) ,  Chen Shi-You (Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Xiang Hongjun (Key Laboratory for Computational Physical Science (Ministry of Education), State Key Laboratory of Surface Physics and Department of Physics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Xiang Hongjun (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, 210093, Jiangsu, China) ,  Gong Xin-Gao (Key Laboratory for Computational Physical Science (Ministry of Education), State Key Laboratory of Surface Physics and Department of Physics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Gong Xin-Gao (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, 210093, Jiangsu, China)
資料名： Advanced Energy Materials  (Advanced Energy Materials)
巻： 7  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2778A  ISSN： 1614-6832  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶粒界(GB)でのナトリウムはCuInSe_2とCu_2ZnSnS_4の光起電力効率を有意に増加させることが知られている。しかし,ナトリウムはGBsにどのように影響するかの機構はまだ知られていない。最近提案された自己不動態化則に基づいて,GBにおけるダングリングボンドは完全にNaをドーピングにより飽和できることであり,それゆえにGB状態を成功裡に不動態化した。Naは非常に低い形成エネルギーによるGBに容易に入り込むことができることを示した。CuもGB状態を不動態化することができるが,しかし,バルク中の銅空格子点の形成を抑制する銅リッチ条件を必要とし,従って正孔キャリアの濃度を減少させ,銅の不動態化は,ナトリウムとしてとして有益であるとは限らなかった。本研究は,Naがカルコゲン化物半導体のGB中にダングリングボンドを不動態化による太陽光発電性能を向上させるかについて機構,代替プロセスとGB中にダングリングボンドを不動態化するためにどのように光を当てを明らかにした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 正孔 ,  *ナトリウム ,  *太陽電池 ,  カルコゲン化物 ,  *不動態化 ,  半導体 ,  光起電力 ,  *銅 ,  *結晶粒界 ,  太陽光発電 ,  ダングリングボンド
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 粒界 ,  光起電力効率 ,  半導体

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高効率 ,  太陽電池 ,  結晶粒界 ,  ナトリウム ,  不動態化