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J-GLOBAL ID：201702233608531204   整理番号：17A0821861

機能材料によるデバイス特性シミュレーション:分子からトポロジカル絶縁体まで

著者 (1件)： 中村恒夫 (産総研 機能材料コンピュテーショナルデザイン研究セ)
資料名： 日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 97th  ページ： ROMBUNNO.4S1-12  発行年： 2017年03月03日 
JST資料番号： S0493B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本講演では,デバイス機能として不揮発性メモリ効果に焦点をあて,分子抵抗スイッチ,金属酸化物を用いた抵抗変化型ランダムアクセスメモリ(ReRAM),そしてトポロジカル絶縁体と絶縁体材料の積層による超格子構造を利用した界面相変化メモリ(iPCM)材料を取り上げ,最近の理論計算例を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： 計算 ,  過程 ,  輸送現象 ,  マイクロエレクトロニクス ,  絶縁体 ,  機能素子 ,  *シミュレーション ,  計算化学 ,  *特性 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  非平衡過程 ,  輸送過程 ,  分子エレクトロニクス ,  トポロジー絶縁体 ,  *分子シミュレーション ,  *デバイス特性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 機能材料 ,  デバイス特性 ,  シミュレーション ,  分子 ,  トポロジカル絶縁体