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J-GLOBAL ID:201702233625010922   整理番号:17A0937487

高性能量子ドットに基づく発光ダイオードのための正孔注入層としての溶液処理した無機銅(I)チオシアン酸塩【Powered by NICT】

Solution-processed inorganic copper(i) thiocyanate as a hole injection layer for high-performance quantum dot-based light-emitting diodes
著者 (8件):
資料名:
巻:号: 42  ページ: 26322-26327  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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量子ドット発光ダイオード(QLEDs)における溶液処理可能な正孔注入材料として無機銅(I)チオシアナート(CuSCN)の有利な特性を報告した。CuSCN,その高い仕事関数を持つ,最も広く使用されているポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホナート)(PEDOT:PSS)(V_th=4.2V)に基づくデバイスと比較して,0.8Vから 3.4Vでターンオン電圧(V_th)を減少させた。透明で高度に安定で低コスト市販材料として,正孔注入層(HIL)として作用するCuSCNはPEDOTにQLEDより良いV_th,と同等の性能を与える:PSS QLED最大輝度と外部量子効率を含む他のパラメータ。V_thは電力効率を向上させることができると市場需要の必要なステップである。簡単で低温処理ルートを用いた溶液処理無機HILの成功した実証は,大規模で信頼性のある全無機とタンデムQLEDsと可能な市販アプリケーションの開発のための指針と見通しを提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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発光素子 

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