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J-GLOBAL ID：201702233657248509   整理番号：17A1344568

高分子をドープした金属硝酸塩水溶液を含むインクを用いた小間隔を持つ酸化物薄膜トランジスタアレイのインクジェット印刷【Powered by NICT】

Inkjet printing of oxide thin film transistor arrays with small spacing with polymer-doped metal nitrate aqueous ink

著者 (6件)： Wu Shaojing (Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, 215123, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Zhang Qing ,  Chen Zheng ,  Mo Lixin ,  Shao Shuangshuang ,  Cui Zheng
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 30  ページ： 7495-7503  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小間隔を持つインクジェット印刷による酸化物薄膜トランジスタ(TFT)アレイの作製を調べ,印刷高分解能ディスプレイバックプレーンを目指した。二つのプロセスは,酸化物インク液滴の印刷及び乾燥時の関与している溶媒は乾燥後初期インク滴は基板上に着陸に大きなサイズに拡散し続いて小さなサイズに縮小した。インク液滴の広がりは二インク液滴を配置できるか近く,乾燥後のインキ液滴の収縮は印刷ドットの最終的な厚さを決定する決定する。ヘキサメチルジシラザン(HMDS),オクタデシルトリクロロシラン(OTS)集合による基板表面の疎水性処理により,印刷された酸化ドットアレイの最小間隔(中心間距離)は80μmから45μm以上(HMDS処理)及び35μm(OTS処理)から減少することが分かったが,ドット直径は同時に70μmから20μm(HMDS処理)と15μm(OTS処理)した。しかし,あまりにも多くの収縮は,インク液滴のランダム運動と酸化物層の厚さ,その両方が印刷TFTの性能に有害の増加を引き起こした。これらの問題を克服するために,インク粘度はインクへのポリビニルピロリドン(PVP)を添加することにより調整した。インク粘度の増加に伴い,インク液滴のランダム運動が抑制され,50μmの最小間隔は印刷された酸化物TFTアレイで達成された。350°Cでアニールされた印刷されたIGZO TFTは約6.2cm~2V~ 1s~ 1とオン/オフ電流比10~7以上の最高の移動度を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *硝酸塩 ,  *酸化 ,  *薄膜トランジスタ ,  液滴 ,  *水溶液 ,  *インクジェット印刷 ,  *高分子 ,  移動度 ,  *インク ,  *印刷 ,  *ドーピング ,  疎水性 ,  *酸化物 ,  粘度 ,  高分解能

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  インキ  (YJ02000N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高分子 ,  ドープ ,  硝酸 ,  塩水溶液 ,  インク ,  酸化物 ,  薄膜トランジスタアレイ ,  インクジェット印刷