抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
AlCuWボンドパッド(98.5% Al,0.5% Cu, 1.0% W)と純Alボンドパッドに結合したAuワイヤの接触抵抗(RC)は,複数の高温貯蔵(HTS)試験中の高分解能抵抗測定法を用いて連続的に測定した。200°Cから250°Cまでオーブン貯蔵温度を用いて,接合界面における金属間化合物形成と抵抗劣化を加速した。AlCuWボンドパッドに結合した1mil Auボンドワイヤボールを用いたセラミック側ろう付パッケージ(CERDIPs)を使用した。テストする(DUTs)下ですべてのデバイスはKelvin(4線)接触を用いて測定した。室温でAlCuW結合パッドに無応力Auワイヤボールボンドの平均接触抵抗(RC)は0.186オームであった。故障時間基準は応力温度(RT)の抵抗は初期抵抗(R0)の2x(100%)を超えたときと定義したが全ての試験は500%の抵抗増加をモニターした。AlCuW故障分布が温度上昇に起因する金属間化合物分解機構の明確な加速を示した。熱活性化エネルギーは四つの異なる温度からの時間経過(中央値のArrhenius解析の失敗(t50%)を用いて決定した。AlCuWとAlボンドパッド金属膜の間の接触抵抗(RC)金属間化合物分解挙動の比較を議論した。集束イオンマメ(FIB)断面の走査電子顕微鏡(SEM)画像は,故障機構である金属間化合物の形成,続いてKirkendallボイドに起因することを確認した。いくつかのAu-Al金属間化合物相もAlボンドパッド界面へのAuワイヤボールボンドに沿って明らかであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
