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J-GLOBAL ID：201702233675477004   整理番号：17A1262438

逆テクスチャ表面を持つInGaN太陽電池の効率改善【Powered by NICT】

Efficiency Enhancement in InGaN Photovoltaic Cells With Inverted Textured Surface

著者 (5件)： Wu Ming-Hsien (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, Advanced Optoelectronic Technology Center, Center for Micro/Nano Science and Technology, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Horng Ray-Hua (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Liao Wen-Yih (Electronics and Optoelectronics Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu, Taiwan) ,  Chang Sheng-Po (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, Advanced Optoelectronic Technology Center, Center for Micro/Nano Science and Technology, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Chang Shoou-Jinn (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, Advanced Optoelectronic Technology Center, Center for Micro/Nano Science and Technology, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 29  号： 16  ページ： 1304-1307  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反転組織化表面(ITS)を持つInGaN光起電力(PV)電池の変換効率の改善について報告した。ITSを持つInGaN太陽電池は短絡電流密度と変換効率0.63mA~2及び1.01%の通常のInGaN太陽電池の特性よりも68.17%と73.33%を示した。変換効率の向上は,一太陽気団1.5照射(100 mW/cm~2)下での電極接触パッドの遮蔽効果と入射照射の表面反射の両方の減少に起因すると考えられる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： パッド ,  *効率化 ,  光起電力 ,  *太陽 ,  *太陽電池 ,  *電池 ,  気団
準シソーラス用語： 表面反射 ,  遮蔽効果 ,  短絡電流密度 ,  変換効率 ,  *InGaN ,  *テクスチャ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： テクスチャ ,  InGaN ,  太陽電池 ,  効率改善