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J-GLOBAL ID：201702233746057949   整理番号：17A0759288

TiS_3を使った電界効果トランジスタの高電流密度電気絶縁破壊【Powered by NICT】

High Current Density Electrical Breakdown of TiS₃ Nanoribbon-Based Field-Effect Transistors

著者 (20件)： Molina-Mendoza Aday J. (Departamento de Fisica de la Materia Condensada, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Island Joshua O. (Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Lorentzweg 1, 2628 CJ, Delft, The Netherlands) ,  Paz Wendel S. (Departamento de Fisica de la Materia Condensada, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Clamagirand Jose Manuel (Materials of Interest in Renewable Energies Group (MIRE Group), Dpto. de Fisica de Materiales, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Ares Jose Ramon (Materials of Interest in Renewable Energies Group (MIRE Group), Dpto. de Fisica de Materiales, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Flores Eduardo (Materials of Interest in Renewable Energies Group (MIRE Group), Dpto. de Fisica de Materiales, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Leardini Fabrice (Materials of Interest in Renewable Energies Group (MIRE Group), Dpto. de Fisica de Materiales, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Sanchez Carlos (Materials of Interest in Renewable Energies Group (MIRE Group), Dpto. de Fisica de Materiales, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Sanchez Carlos (Instituto de Ciencia de Materiales “Nicolas Cabrera”, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Agraiet Nicolas (Departamento de Fisica de la Materia Condensada, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Agraiet Nicolas (Instituto Madrileno de Estudios Avanzados en Nanociencia (IMDEA-nanociencia), Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Agraiet Nicolas (Condensed Matter Physics Center (IFIMAC), Universidad Autonoma de Madrid, E-28049, Madrid, Spain) ,  Rubio-Bollinger Gabino (Departamento de Fisica de la Materia Condensada, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Rubio-Bollinger Gabino (Condensed Matter Physics Center (IFIMAC), Universidad Autonoma de Madrid, E-28049, Madrid, Spain) ,  van der Zant Herre S. J. (Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Lorentzweg 1, 2628 CJ, Delft, The Netherlands) ,  Ferrer Isabel J. (Materials of Interest in Renewable Energies Group (MIRE Group), Dpto. de Fisica de Materiales, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Ferrer Isabel J. (Instituto de Ciencia de Materiales “Nicolas Cabrera”, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Palacios J. J. (Departamento de Fisica de la Materia Condensada, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain) ,  Palacios J. J. (Condensed Matter Physics Center (IFIMAC), Universidad Autonoma de Madrid, E-28049, Madrid, Spain) ,  Castellanos-Gomez Andres (Instituto Madrileno de Estudios Avanzados en Nanociencia (IMDEA-nanociencia), Campus de Cantoblanco, E-28049, Madrid, Spain)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 13  ページ： ROMBUNNO.201605647  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状材料に基づくナノ構造トランジスタの高電界輸送特性はデバイス物理の観点から重要な次世代エレクトロニクスにおける可能な応用だけでなくだけでなく。従来のシリコン技術への代替としての層状物質の成長期待とともに,層状材料チタントリスルフィド(TiS_3)の高電流密度特性を研究した。1.7×10~6A cm~ 2までの高い破壊電流密度はTiS_3ステンナノリボンに基づく電界効果トランジスタ,半導体ナノ材料で見出された最高であるが観察された。電流破壊の原因となる機構を調べ,バルクTiS_3の熱重量分析を行い,密度汎関数理論と運動論的モンテカルロ計算の結果を比較した。結論として,TiS_3の酸化と硫黄原子の脱着は,周囲条件における材料の電気的破壊に重要な役割を果たしている。結果はTiS_3は高電力応用のための魅力的な材料であるとナノ構造デバイスにおける電気的絶縁破壊の原因である熱と欠陥活性化機構に洞察を与えことを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱重量分析 ,  材料 ,  半導体 ,  積層材料 ,  密度汎関数法 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ナノ材料 ,  電子技術 ,  *電流密度 ,  *電流 ,  *トランジスタ ,  硫黄 ,  ケイ素 ,  *絶縁破壊
準シソーラス用語： 輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 2D材料 ,  電界効果トランジスタ ,  高電流密度 ,  熱安定性 ,  三硫化チタン ,  遷移金属三カルコゲン化物

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電界効果トランジスタ ,  高電流密度 ,  電気絶縁破壊