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J-GLOBAL ID：201702233775328075   整理番号：17A1552423

ふっ素化は結晶性固体中のカルコゲン結合を促進する【Powered by NICT】

Fluorination promotes chalcogen bonding in crystalline solids

著者 (8件)： Nayak Susanta K. (Laboratory of Nanostructured Fluorinated Materials (NFMLab), Department of Chemistry, Materials, and Chemical Engineering “Giulio Natta”, Politecnico di Milano, Via L. Mancinelli 7, 20131 Milano, Italy. [e-mail]) ,  Kumar Vijith ,  Murray Jane S. ,  Politzer Peter ,  Terraneo Giancarlo ,  Pilati Tullio ,  Metrangolo Pierangelo ,  Resnati Giuseppe
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 34  ページ： 4955-4959  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶X線解析は分子間CSFカルコゲン結合は2,2,4,4-テトラフルオロ-1,3-ジチエタンの結晶構造における最短接触であることを示した。分子表面静電ポテンシャルの分析は,これらの接触はふっ素の負の電位と硫黄と炭素正σホールの重なりに起因する正の領域間の引力によって生じることを示した。とは対照的に,2,2,4,4-テトラクロロ-1,3-ジチエタンの格子構造は分子間C ClClハロゲン結合によって制御されている。二システムの格子は,二種類のσ-ホール相互作用によって制御される。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸素族元素 ,  相互作用 ,  分子表面 ,  硫黄 ,  単結晶 ,  *フッ素化 ,  格子構造 ,  X線分析 ,  *フッ素 ,  *結晶度 ,  結晶構造 ,  電位
準シソーラス用語： ハロゲン結合 ,  静電ポテンシャル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： ふっ素化 ,  結晶性 ,  固体 ,  カルコゲン ,  促進