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J-GLOBAL ID：201702233787608955   整理番号：17A1250750

酸化アルミニウム不動態化層による高移動度非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

High Mobility Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistor by Aluminum Oxide Passivation Layer

著者 (12件)： Hu Shiben (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Lu Kuankuan (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Ning Honglong (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Zheng Zeke (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Zhang Hongke (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Fang Zhiqiang (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Yao Rihui (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Xu Miao (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Wang Lei (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Lan Linfeng (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Peng Junbiao (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Lu Xubing (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 7  ページ： 879-882  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,無線周波数(RF)マグネトロンスパッタリングと銅(Cu)ソース/ドレイン電極による酸化アルミニウム(Al_2O_3)不動態化層を持つ高移動度非晶質インジウム-ガリウム-酸化亜鉛(a IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)を実証した。作製したa-IGZO TFTはAl_2O_3不動態化層を持たない参照デバイスよりも飽和移動度(142.0 cm~2/Vs)の20倍高かった。スパッタAl_2O_3の衝撃によるバックチャネル界面での金属インジウムの生成は飽和移動度の顕著な増大の主な原理である。さらに,a-IGZO TFTは環境条件で四か月までの高移動度と空気中安定な特性を維持する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *インジウム ,  マグネトロンスパッタリング ,  *移動度 ,  *酸化物 ,  *酸化アルミニウム ,  衝撃 ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化亜鉛 ,  *不動態化 ,  界面 ,  *非晶質
準シソーラス用語： 環境条件 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  無線周波数 ,  *高移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 酸化アルミニウム ,  不動態化 ,  高移動度 ,  非晶質 ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  オキシド ,  薄膜トランジスタ