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J-GLOBAL ID:201702233799494092   整理番号:17A0989847

相境界マッピングによる安価なZintl相Ca_9Zn_4+_xSb_9におけるzT>1の達成【Powered by NICT】

Achieving zT > 1 in Inexpensive Zintl Phase Ca9Zn4+ xSb9 by Phase Boundary Mapping
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資料名:
巻: 27  号: 20  ページ: ROMBUNNO.201606361  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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複雑な多元化合物(三元,四元,及びそれ以上)は太陽電池や熱電素子などの応用のための新しい半導体を発見するための無数の機会を提供する。しかし,そのエネルギーは,競合する不純物相に依存する荷電固有欠陥(例えば,空格子点,格子間原子,アンチサイト欠陥)のための多くの可能性があるとして制御ドーピングは複雑な半導体における主要な課題となっている。化学量論的組成からの見かけの偏差を有する化合物でも,このような欠陥は通常10~20cm~ 3以上の自由キャリア濃度をもたらした。それにもかかわらず,公称組成を僅かに変更により,これらの欠陥濃度は各元素の化学ポテンシャル(組成)の小さな変化を調整することができた。化学組成の変化は検出されないが,異なる競合不純物相が形成する変化は境界(公称組成空間における)を図形化して推定できることを示した。安価なZintl化合物Ca_9Zn_4+-xSb_9では,キャリア濃度は微細公称組成(x=0.2 0.8)を変化させることにより三つの異なる三相領域内の調整,熱電性能(zT)の二倍化を可能にする。低熱伝導率のために,zTは875Kで1.1と高く,イオン導電性と地球に豊富なp型熱電材料の中で最高の一つであることを達することができた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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圧電気,焦電気,エレクトレット  ,  電気的性質 
タイトルに関連する用語 (3件):
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