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J-GLOBAL ID：201702233867232799   整理番号：17A0620944

光電気化学測定によリ特性評価したGaNナノワイヤのp型ドーピング

p-Type Doping of GaN Nanowires Characterized by Photoelectrochemical Measurements

著者 (7件)： KAMIMURA Jumpei (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  BOGDANOFF Peter (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, DEU) ,  RAMSTEINER Manfred (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  CORFDIR Pierre (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  FEIX Felix (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  GEELHAAR Lutz (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  RIECHERT Henning (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 3  ページ： 1529-1537  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN NWのMgドーピングを包括的に調査した。NW試料中のMg量の増加は,低温光ルミネセンスおよびRamanスペクトルの変化により一貫した様式で反映された。特にGaサイトのMg置換のLVM(局所振動モード)は,実際のMg濃度の見積もりを可能とした。取得した最高値は,約5×10¹⁹cm^-3である。本研究の最重要部分は,PEC法によるNWの電気特性の決定である。開放電圧測定は,GaN NWの伝導タイプが,低Mg濃度のn型から高Mg濃度のp型に変化することを明らかにした。Mott-Schottky曲線の分析により,この傾向を確認した。また,n型(p型)NW中の正味熱的イオン化ドナー(アクセプタ)の定量値を取得した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  光電気化学 ,  *ナノワイヤ ,  ドーピング ,  マグネシウム化合物 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  光ルミネセンス ,  Ramanスペクトル ,  電圧測定
準シソーラス用語： Mott-Schottkyプロット ,  *p型ドーピング ,  開放電圧

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光電気化学 ,  特性評価 ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  p型ドーピング