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J-GLOBAL ID:201702233888124545   整理番号:17A1392688

シリコンベース集積ピコ秒インパルス放射器の時間領域特性化【Powered by NICT】

Time-Domain Characterization of Silicon-Based Integrated Picosecond Impulse Radiators
著者 (3件):
資料名:
巻:号:ページ: 599-608  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2304A  ISSN: 2156-342X  CODEN: ITTSBX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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フェムト秒レーザゲート光電子サンプリング技術を用いたシリコンベース集積ピコ秒インパルス放射器の直接時間領域特性化を開発した。提案システムでは,1550nmのフェムト秒レーザ光源をピコ秒インパルス放熱器に供給された電気トリガ信号を生成するために使用すると,他の同期した1550nmのフェムト秒レーザ光源を光伝導検出器を制御するために使用されている。オプトエレクトロニックサンプリングシステムによるシリコン放熱器を同期させるために検討した技術的挑戦。カスタムシリコンチップから放射される4.8psインパルスの提案した技術と特性の詳細を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  ,  アンテナ 

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