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J-GLOBAL ID:201702233891400472   整理番号:17A1169689

アルゴン中の焼結を受けるマクロ多孔質シリコンの形態【Powered by NICT】

Morphology of macroporous silicon subjected to sintering in argon
著者 (4件):
資料名:
巻: 214  号:ページ: ROMBUNNO.201700211  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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マクロ多孔性けい素の焼結は,その構造と形態を制御するための付加的ツールとして役立つことができる。,高純度の,不活性ガスを少量の酸化剤の多孔質構造の再組織化のプロセスに大きな影響を与えるを含んでいる。2.10~ 4%O_2を含むアルゴン流中のマクロ多孔質シリコンの焼結は,揮発性一酸化ケイ素の形成による熱エッチングによって影響されることが分かった。は気孔率の増加,または多孔質層の完全な消失にも導き,異なる形態の二酸化けい素の堆積を伴う。熱エッチングは気孔閉鎖の特性焼結過程と競合し,試料表面上に無欠陥地殻の形成を妨げた。1000 1280°C30分間で行った等時アニーリングからSi拡散E_a=2,57eVの活性化エネルギーを見出した。等温実験の結果と,この値はシリコン原子の表面とバルク拡散による質量輸送の混合機構を示した。マクロ多孔性構造の焼結は結晶面(111),(100),および(110)ファセットをもたらし,その中で最低の表面エネルギーは,(111)面に対応する。焼結と熱エッチング間の競合の結果:高純度Ar中で焼なましたマクロ多孔性シリコンの表面地殻の典型的な虫状開口部1125°Cでスケールバー1μmであった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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