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J-GLOBAL ID：201702234000850027   整理番号：17A1639007

SOI技術に基づく修正ナノ構造における阻止電場拡張包括的数値研究【Powered by NICT】

Stopping electric field extension in a modified nanostructure based on SOI technology - A comprehensive numerical study

著者 (2件)： Anvarifard Mohammad K. (Department of Engineering Sciences, Faculty of Technology and Engineering, East of Guilan, University of Guilan, Rudsar-Vajargah, Iran) ,  Orouji Ali A. (Electrical and Computer Engineering Department, Semnan University, Semnan, Iran)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 206-220  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,シリコンオンインシュレータ(SOI)MOSFETに基づくナノデバイスの短チャネル効果(SCE)を低減するために特別な知識に関連している。検討対象の装置は電場の阻止層と発生した熱を移送するための有用なヒートシンクとしてSi_3N_4余分な酸化物を埋め込むことによる22nmノード技術を設計した。二重要な課題(DC特性とRF特性)を同時に検討した。チャネル熱伝導の阻止電場拡張と増強を本研究のために入口ゲートウェイとして紹介した電気特性を改善し,最終的にた。Si_3N_4材料でできたに挿入された特別な酸化物は提案したデバイスにおける電気的および熱的特性の変化に重要な影響を持っている。提案したSOIおよび従来のSOI間の膨大な比較は,提案した構造は,短チャネル効果(SCE),漏れ電流,基板浮遊効果(FBE),自己加熱効果(SHE),電圧利得,電流オフ電流の比,相互コンダクタンス,出力コンダクタンス,最小雑音指数と電力利得のような主要なパラメータの点で従来の構造よりも,より高い電気および熱能力を持つことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互コンダクタンス ,  *電場 ,  短チャネル効果 ,  コンダクタンス ,  漏れ電流 ,  *ナノ構造 ,  MOSFET ,  熱特性 ,  チャネル ,  雑音指数 ,  ヒートシンク ,  *SOI構造
準シソーラス用語： 電圧利得 ,  自己加熱 ,  ナノデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Si_3N_4超酸化物 ,  SOI-MOSFET ,  短チャネル効果 ,  電場を止める

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (7件)： SOI技術 ,  ナノ構造 ,  阻止 ,  電場 ,  拡張 ,  数値 ,  研究