超音波噴霧熱分解による高品質エピタキシャルふっ素ドープSnO_2膜:構造と物理的特性の研究【Powered by NICT】

Zhang Shan-Ting; Zhang Shan-Ting; Rouviere Jean-Luc; Consonni Vincent; Roussel Herve; Rapenne Laetitia; Pernot Etienne; Munoz-Rojas David; Klein Andreas; Bellet Daniel

文献

J-GLOBAL ID：201702234036252553 整理番号：17A1485971

超音波噴霧熱分解による高品質エピタキシャルふっ素ドープSnO_2膜:構造と物理的特性の研究【Powered by NICT】

High quality epitaxial fluorine-doped SnO₂ films by ultrasonic spray pyrolysis: Structural and physical property investigation

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資料名：
巻： 132 ページ： 518-525 発行年： 2017年
JST資料番号： A0495B ISSN： 0264-1275 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

表示器や光起電力産業におけるその広範な使用にもかかわらず,フッ素ドープ酸化スズ(F:SnO_2,FTO)は,その多結晶形でしか研究されていない。本研究では,超音波噴霧熱分解簡単な化学蒸着法によるエピタキシャルFTO薄膜の初めての成長について報告し,詳細にその成長,形態と歪/欠陥を調べることにより構造-特性相互作用を明らかにした。エピタキシャルFTO膜は,(110)ルチルTiO_2単結晶上に成長させたことに成功し,0.5°より小さい面外分布を持つモザイクドメインを形成し,分子ビームエピタクシー及びパルスレーザ蒸着により作製したエピタキシャル膜に匹敵する高い構造品質を示した。ルチルTiO_2と大きな格子不整合のために,FTO膜はエピタキシャル歪を解放するために顕著な構造欠陥開発し,結果的に0.1 0.2%のわずかな残留歪を持つほぼ完全に緩和した。革新的ナノビーム歳差運動電子回折法の助けを借りて,歪分布はTiO_2/FTO界面で地図化し,そこから著者らはFTO膜の主として最初の22nmで起こる界面及び二次歪緩和を同定した。エピタキシャルFTO膜のHall移動度が最先端に近く,低いドーピング濃度での更なる改善が期待される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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セラミック・磁器の性質 , 金属薄膜 , 変態組織,加工組織 , 磁性材料 , 酸化物薄膜

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