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J-GLOBAL ID：201702234103520591   整理番号：17A1359535

InGaAs/InAsSb三元SLS MWIR検出器【Powered by NICT】

InGaAs/InAsSb ternary SLS MWIR photodetectors

著者 (5件)： Duran Joshua (Alr Force Research Laboratory: Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH 45433) ,  Ariyawansa Gamini (Alr Force Research Laboratory: Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH 45433) ,  Reyner Charles (Alr Force Research Laboratory: Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH 45433) ,  Steenbergen Elizabeth (Air Force Research Laboratory: Space Vehicles Directorate, Kirtland AFB, NM 87117) ,  Scheihing John (Alr Force Research Laboratory: Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH 45433)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SUM  ページ： 179-180  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 材料の歪層超格子(SLS)クラスは,高性能中間波長赤外(MWIR)検出器の開発のための研究の関心の成長分野である。InAs/(In)GaSbは第一の最も徹底的に研究SLS材料システムであるが,比較的短いShockley-Reed-Hall(SRH)キャリア寿命は代替材料システムの探索を促してきた。少数キャリア寿命の有意な改善は,InAs/InAsSbを用いて実証されているが,弱い吸収係数と短い拡散長さはこの材料系のための検出器量子効率を制限している。これらの欠点を解決するために,著者らはMWIR光検出器の設計のための柔軟な材料系としてInGaAs/InAsSbを調べた。超格子成分として二つの三元材料を利用した与えられたカットオフ波長の吸収係数とキャリア有効質量のような材料パラメータの独立した調整を可能にする。概念設計と同様にこの三元設計方式の柔軟性により可能になった性能改善を示すInGaAs/InAsSbから成るMWIR光検出器のための実験結果を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 超格子 ,  アンチモン化ガリウム ,  吸収係数 ,  歪層超格子 ,  キャリア寿命 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  柔軟性 ,  量子効率 ,  波長 ,  有効質量 ,  *検出器 ,  光検出器 ,  *ヒ化インジウム
準シソーラス用語： 材料パラメータ ,  *中赤外線 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaAs ,  InAsSb ,  SLS ,  MWIR ,  検出器