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J-GLOBAL ID：201702234145870116   整理番号：17A1307686

VO₂薄膜の構造転移と電気的転移の制御

Control of Structural and Electrical Transitions of VO₂ Thin Films

著者 (5件)： MOATTI Adele (North Carolina State Univ., North Carolina, USA) ,  SACHAN Ritesh (North Carolina State Univ., North Carolina, USA) ,  SACHAN Ritesh (Army Res. Office, North Carolina, USA) ,  PRATER John (North Carolina State Univ., North Carolina, USA) ,  NARAYAN Jay (North Carolina State Univ., North Carolina, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 28  ページ： 24298-24307  発行年： 2017年07月19日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 122°回転した(001)及び(100)面内配向を有する(0001)サファイア基板上にエピタキシャル成長させた二酸化バナジウム膜の構造転移と電気的転移の温度依存性を調べた。結果を速度論と熱力学的手法を組合せて論じた。(001)結晶は緩和されず,薄い界面V₂O₃の数原子層の形成を示すのに対し,(100)結晶は分域整合エピタキシーにより完全に緩和された。温度依存するX線回折測定により構造(Peierls)転移を,電気抵抗測定により電子(Mott)転移を調べた。加熱サイクルにおける構造転移(76°C)と電気的転移(73°C)の開始温度に3°Cの遅延が見られた。転移におけるこの時間遅れはVO₂微結晶中に存在する残留歪に起因した。

シソーラス用語： *エピタクシー ,  基板 ,  *酸化バナジウム ,  *構造相転移 ,  X線回折 ,  温度依存性 ,  相転移 ,  薄膜 ,  残留歪 ,  熱力学模型
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  *二酸化バナジウム ,  運動学モデル ,  構造転移 ,  電気的転移 ,  電場誘起相転移

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： VO2 ,  薄膜 ,  構造転移