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J-GLOBAL ID:201702234211436335   整理番号:17A0953427

hν依存性高感度紫外光電子分光法によるP型高分子の状態密度の1015cm-3 eV-1準位検出

1015 cm-3 eV-1 level detection of density of states of a p-type polymer by hν-dependent high-sensitivity ultraviolet photoemission spectroscopy
著者 (4件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 011602.1-011602.4  発行年: 2017年01月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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著者等は,HOMOから非常に弱いギャップ状態(1022から1015cm-3eV-1の状態密度)に亘る非常に広い範囲の状態密度(DOS)を観察するために,hν依存性高感度紫外光電子分光法と呼ばれる方法を提案した。提案した方法をP型半導体高分子に適用した。hν=4.4から7.7eVの一連のスペクトルを記録し,光イオン化断面積の光子エネルギー依存性を排除するために,隣接する光子エネルギースペクトル間に類似の線形状によりスペクトル部分を重ね合わせることによりDOSを取得した。提案した方法は,有機材料と無機材料の両方に適用可能であり,機能性材料のDOSに関する有益な情報を提供する。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
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有機化合物・錯体の電子分光スペクトル(分子)  ,  電子分光スペクトル  ,  高分子の立体構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
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