文献

J-GLOBAL ID：201702234232517600   整理番号：17A1058583

PLDにより調製した優先配向したPbPdO_2薄膜の構造と電気的性質【Powered by NICT】

The structure and electrical properties of PbPdO₂ thin films with preferred orientation prepared by PLD

著者 (14件)： Chen Xiang (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350117, China) ,  Chen Xiang (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Chen Yue (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350117, China) ,  Chen Yue (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Yang Yanmin (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350117, China) ,  Yang Yanmin (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Jia Hai (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350117, China) ,  Jia Hai (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Zhang Jian-Min (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350117, China) ,  Zhang Jian-Min (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Chen Shuiyuan (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350117, China) ,  Chen Shuiyuan (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Huang Zhigao (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350117, China) ,  Huang Zhigao (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 13  ページ： 10428-10433  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は(211)優先配向(試料A)と(002)優先配向(試料B)PbPdO_2ナノ粒子とPbPdO_2膜を作製した。構造及び物理特性を,XRD,Raman,SEM,XPSおよびA FMにより測定した。実験結果はPbPdO_2膜は粒径が約200nmの粒状構造を有し,両試料中に存在するいくつかのPb空孔ことを示した。は(002)優先配向のPbPdO_2は近零ギャップを有することを見出しているが,(211)優先配向したPbPdO_2は大きなバンドギャップを有していた。表面異方性バンドギャップも著者らの第一原理バンド構造計算により証明した。さらに,試料Bは試料Aより低い抵抗率を有していることを着目し,両試料は約370Kの広い絶縁体-金属転移温度(T_MI)を有していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  ナノ粒子 ,  *優先配向 ,  絶縁体 ,  粒径 ,  第一原理 ,  *薄膜 ,  転移温度 ,  構造計算 ,  *電気的性質 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 表面異方性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： キーワードPbPdO_2膜 ,  優先配向 ,  無ギャップ半導体 ,  仕事関数

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： PLD ,  調製 ,  優先配向 ,  薄膜 ,  電気的性質