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J-GLOBAL ID：201702234271022419   整理番号：17A1435690

高静水圧での疎水性ギャップ【Powered by NICT】

The Hydrophobic Gap at High Hydrostatic Pressures

著者 (7件)： Wirkert Florian J. (Fakultaet Physik/DELTA, TU Dortmund, 44221, Dortmund, Germany) ,  Holzl Christoph (Institut fuer Physikalische und Theoretische Chemie, Universitaet Regensburg, Germany) ,  Paulus Michael (Fakultaet Physik/DELTA, TU Dortmund, 44221, Dortmund, Germany) ,  Salmen Paul (Fakultaet Physik/DELTA, TU Dortmund, 44221, Dortmund, Germany) ,  Tolan Metin (Fakultaet Physik/DELTA, TU Dortmund, 44221, Dortmund, Germany) ,  Horinek Dominik (Institut fuer Physikalische und Theoretische Chemie, Universitaet Regensburg, Germany) ,  Nase Julia (Fakultaet Physik/DELTA, TU Dortmund, 44221, Dortmund, Germany)
資料名： Angewandte Chemie  (Angewandte Chemie)
巻： 129  号： 42  ページ： 13138-13141  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0396A  ISSN： 0044-8249  CODEN： ANCEAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の静水圧下でのX線反射率実験と分子動力学シミュレーションによるいわゆる疎水性ギャップ,水と固体疎水性表面間の界面で減少した電子密度の分子的に薄い領域に新しい洞察を得ている。圧力変動は疎水性ギャップは5kbarの圧力まで持続することを示した。界面領域における電子空乏は,圧力の増加と共に減少し,界面領域はバルク水よりも強く圧縮されることを示した。減少は2kbarまでの最も重要である;を超えて,空乏の圧力応答は顕著ではなかった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *静水圧 ,  電子密度 ,  圧力変動 ,  計算機シミュレーション ,  *疎水性 ,  界面
準シソーラス用語： 分子動力学シミュレーション ,  X線反射率 ,  *高静水圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Grenzflaechen ,  疎水性Luecke ,  Hydrostatischer Druck ,  Molekueldynamik ,  Rontgenreflektometrie

分類 (5件)： 液-液界面  (CB12030F) ,  高分子の立体構造  (CG02031G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固相転移  (BL04020G) ,  植物の生化学  (EH01050J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高静水圧 ,  疎水性 ,  ギャップ