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J-GLOBAL ID:201702234348836387   整理番号:17A1025811

連続時間フレームワークにおけるパワーMOSFETの予後【Powered by NICT】

Prognosis of power MOSFET in continuous time framework
著者 (2件):
資料名:
巻: 2017  号: APEC 2017  ページ: 2269-2275  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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MOSFETの信頼性が懸念される,ハイブリッド電気自動車,高速電車,電気航空機における臨界パワー供給応用に広く用いられている。MOSFETは,その運転中に複数の電気機械応力を同時に受ける。MOSFETにおける劣化はこれらの応力と共に製造不完全性に起因する本質的にランダムである。断層前駆体測定システムにおける雑音は残存耐用年数(RUL)に大きな変動をもたらした。本論文では,断層前駆体としてドレイン源オン抵抗(R_ds,)を用いて提案した連続時間(CT)フレームワークに基づくRUL推定法。CTフレームワークを利用して,システムの動力学を捕捉した。(CT)連続時間と共にCT Markov過程(CTMP)逐次重要度再サンプリング(SIR)粒子フィルタ(PF)はR_dsの軌跡をシミュレートするために用い,測定システムの雑音を考慮することである。シミュレートされた軌道は,MOSFETのRULを推定した。提案した方法のRUL推定はR_DS,MOSFETのONの実験データを用いたKalmanフィルタ(KF)と離散時間逐次重要度サンプリング(SIS)PFのRUL推定と比較した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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トランジスタ  ,  信頼性  ,  二次電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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