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J-GLOBAL ID：201702234415930245   整理番号：17A0449572

選択的ホウ素エミッタのためのレーザ誘起前方移動プロセス【Powered by NICT】

A laser induced forward transfer process for selective boron emitters

著者 (3件)： Fernandez-Robledo S. (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg im Breisgau, Germany) ,  Nekarda J. (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg im Breisgau, Germany) ,  Buechler A. (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg im Breisgau, Germany)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 161  ページ： 397-406  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,著者らは高度にほう素をドープした選択的エミッタを形成する新しい技術的アプローチを提案した。選択的エミッタをレーザ誘起前方移動ドーピング(DLIFT)プロセスを用いて形成され,これはレーザパラメータを調整し,適切なドーピング源を選択することにより,ドーピングプロファイルの正確な調整を可能にした。N-s≒1×10~21cm~ 3までの表面ドーパント濃度はDLIFTを用いて達成した。BBr_3管炉拡散は低表面濃度(N-s≒1×10~19cm~ 3)均一エミッタを形成した。従来適用BBr_3管拡散と比較して,6mVまでの開回路電圧の増加は,不動態化,スクリーン印刷と焼成プロセス後に行った光ルミネセンス測定に基づいて予測した。シミュレーションは,この電圧利得であるBBr_3拡散試料に比較して高度にドープしたDLIFT試料の低エミッタ飽和電流密度(j_0e)に最も可能性によることを示唆した。さらに,レーザ誘起欠陥は,その後の三臭化ほう素(BBr_3)管拡散,DLIFTプロセス後に均一なエミッタを形成する後成功裏に減少することが観察された。顕微ラマン分光法の結果は,DLIFTプロセス後のシリコン結晶格子における 200MPaの圧縮応力は,その後のBBr_3管拡散によって放出されることを示した。これらの結果は,従来適用してきたBBr_3管拡散と組み合わせたDLIFTプロセスは高効率n型結晶シリコン(c Si)太陽電池における選択的ホウ素エミッタを形成するために有効なアプローチであることを実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スクリーン印刷 ,  *ホウ素 ,  臭化ホウ素 ,  圧縮応力 ,  ドーピング ,  顕微Raman分光法 ,  太陽電池 ,  ケイ素 ,  不動態化 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  電圧利得 ,  開回路電圧 ,  ドーピングプロファイル ,  *レーザ誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ほう素 ,  リフト ,  n型太陽電池 ,  レーザドーピング ,  選択的エミッタ ,  拡散

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ホウ素 ,  エミッタ ,  レーザ誘起 ,  プロセス