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J-GLOBAL ID：201702234571698748   整理番号：17A1553625

マグネシウムイオン電池のためのアノードとしてのSnのファセット依存マグネシウム化挙動【Powered by NICT】

Facet-dependent magnesiation behavior of α-Sn as an anode for magnesium ion batteries

著者 (2件)： Jin Wei (School of Physical Electronics, Center for Public Security Technology Research, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, P. R. China. [e-mail]) ,  Wang Zhiguo
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 70  ページ： 44547-44551  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (100),(110)および(111)表面によるα-SnとMg_2SnへのMgの吸着とマグネシウム化挙動を第一原理計算を用いて調べた。Mg原子は表面に吸着したよりもSnの表面下に拡散するのを選ぶことが分かった。拡散エネルギー障壁は内部拡散と比較して表面下への表面からのMg拡散の方が高かった。Mgは<110>と<111>方向に沿ってよりも<100>方向に沿って速く拡散する。表面から下部表面へ拡散過程はSnへのMgインターカレーションの律速段階である。表面マグネシウム化もMg_2Snが(100)および(110)表面へのMgインターカレーションの律速段階が,Mg_2Sn(111)表面の表面マグネシウム(100)および(110)表面よりも容易であった。表面修飾であるMIBのためのアノードとしてのSnのマグネシウム化挙動を改善するために必要な,アノード材料は,ナノスケールに還元される。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ファセット ,  拡散過程 ,  *マグネシウム ,  インターカレーション ,  律速 ,  *スズ ,  計算 ,  表面改質
準シソーラス用語： ナノスケール ,  アノード材料【電池】 ,  エネルギー障壁 ,  第一原理計算 ,  *マグネシウムイオン電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  二次電池  (YB04030K) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネシウムイオン電池 ,  アノード ,  Sn ,  ファセット ,  マグネシウム ,  挙動