文献

J-GLOBAL ID：201702234576797506   整理番号：17A1410532

H BCN単分子層の熱伝導率【Powered by NICT】

Thermal conductivity of a h-BCN monolayer

著者 (4件)： Zhang Ying-Yan (School of Computing, Engineering and Mathematics, Western Sydney University, Penrith, NSW 2751, Australia) ,  Pei Qing-Xiang ,  Liu Hong-Yuan ,  Wei Ning
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 40  ページ： 27326-27331  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ,新しい二次元(2D)材料,六方晶グラフェン状ほう素-炭素-窒素(h BCN)単分子層を最近合成した。ここでは,この新しい2D材料の熱伝導率を初めて調べた。最適Tersoffポテンシャルに基づいた分子動力学シミュレーションを用いて,h-BCN単分子層が近い熱伝導率の大きさを含む基底面内等方性であることを見出した。h-BCNグラフェンと六方晶窒化ホウ素(h BN)と同じ六方晶格子を持つが,後者の二つの材料よりはるかに低い熱伝導率を示した。さらに,h-BCN単分子層の熱伝導率はサイズ依存性が低い温度依存性であることが分かった。h-BCN単分子層の熱伝導率の変調は,歪工学により実現できる。圧縮歪は熱伝導率の単調な減少の原因となり,一方,引張歪は熱伝導率のアップ,ダウン傾向を誘導する。驚いたことに,小さい引張歪はh-BCN単分子層の熱輸送を容易にすることができる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ホウ素 ,  *炭素 ,  *窒素 ,  単分子層 ,  *熱伝導率 ,  六方晶系 ,  ポテンシャル ,  計算機シミュレーション ,  分子動力学 ,  歪 ,  圧縮 ,  引張
準シソーラス用語： Tersoffポテンシャル ,  圧縮歪 ,  引張歪 ,  分子動力学シミュレーション

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単分子層 ,  熱伝導率