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J-GLOBAL ID：201702234576974467   整理番号：17A1420985

InAs/GaSb/AlSbのII型超格子に基づく小型デュアルバンド長波長赤外光検出器の実現に向けて【Powered by NICT】

Toward realization of small-size dual-band long-wavelength infrared photodetectors based on InAs/GaSb/AlSb type-II superlattices

著者 (3件)： Chevallier Romain (Center for Quantum Devices, Department of Electrical Engineering and Computer Science, Northwestern University, Evanston, IL 60208, USA) ,  Haddadi Abbas (Center for Quantum Devices, Department of Electrical Engineering and Computer Science, Northwestern University, Evanston, IL 60208, USA) ,  Razeghi Manijeh (Center for Quantum Devices, Department of Electrical Engineering and Computer Science, Northwestern University, Evanston, IL 60208, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 136  ページ： 51-54  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高性能,デュアルバンド,長波長InAs/GaSb/AlSbタイプII超格子に基づく赤外(LWIR)光検出器12×12μm~2を実証した。構造は2μm厚さのpドープした吸収領域を持つ二バックツーバックヘテロ接合フォトダイオードから構成されている。SiO_2不動態化と組み合わされた高品質ドライエッチングは,より長い(赤)チャンネルについては 7.9×10~5Ωcmの表面抵抗率値と電気的性能の劣化をもたらす。デバイスは,より長い(赤)のための4.5×10~ 4cm~2の暗電流密度値と量子効率飽和で短かった(青)LWIRチャネルに対して1.3×10~ 4cm~2に達した。77K背面照射配置で,それぞれ,青と赤のチャネル8.3と11.2μmの50%カットオフ波長を持ち,37%と29%の量子効率を示した。は77Kで2.5×10~11cm Hz~/2/Wと1.3×10~11cm Hz~/2/Wの比検出能値を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *超格子 ,  暗電流 ,  ドーピング ,  *光検出器 ,  量子効率 ,  フォトダイオード ,  *ヒ化インジウム ,  チャネル ,  *波長 ,  不動態化 ,  *アンチモン化ガリウム ,  ドライエッチング
準シソーラス用語： 検出能 ,  *長波長 ,  *デュアルバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 赤外イメージング ,  フォトダイオード ,  固体検出器 ,  光検出器 ,  タイプII超格子

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  デュアルバンド ,  長波長赤外 ,  光検出器