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J-GLOBAL ID：201702234724485446   整理番号：17A1092071

代替ハイブリッドCo sputtering/evaporation法で作製した極薄Cu(In,Ga)Se_2太陽電池【Powered by NICT】

Ultra-thin Cu(In,Ga)Se₂ solar cells prepared by an alternative hybrid co-sputtering/evaporation process

著者 (6件)： Posada Jorge (CNRS, Institut de Recherche et Developpement sur l’Energie Photovoltaieque (IRDEP), UMR 7174, 6 Quai Watier, 78401 Chatou, France) ,  Posada Jorge (Institut Photovoltaieque Ile de France (IPVF), 8 rue de la Renaissance, 92160 Antony, France) ,  Jubault Marie (EDF - R&D, Institut de Recherche et Developpement sur l’Energie Photovoltaieque (IRDEP), UMR 7174, 6 Quai Watier, 78401 Chatou, France) ,  Jubault Marie (Institut Photovoltaieque Ile de France (IPVF), 8 rue de la Renaissance, 92160 Antony, France) ,  Naghavi Negar (CNRS, Institut de Recherche et Developpement sur l’Energie Photovoltaieque (IRDEP), UMR 7174, 6 Quai Watier, 78401 Chatou, France) ,  Naghavi Negar (Institut Photovoltaieque Ile de France (IPVF), 8 rue de la Renaissance, 92160 Antony, France)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 633  ページ： 66-70  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,代替ハイブリッドCo sputtering/evaporationプロセスを持つ超薄Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)吸収体を合成した。銅,インジウム,ガリウム,セレンの熱蒸発と同時にスパッタ,H_2Seの使用を回避した。550nm以下の厚さの異なるCIGS吸収層はMo/ソーダ石灰ガラス基板上に一段階安定化プロセスにより堆積した。ハイブリッドプロセス中のパワー値を変えたとき超薄CIGS膜の成長機構を研究した。セレン噴散セルと蒸着温度の温度は,それぞれ190°Cと550°Cに固定された。堆積時間も20分に固定した。変換効率が6.5%に達する超薄膜CIGS太陽電池は吸収体層厚さ470nmの作製した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： インジウム ,  超薄膜 ,  *太陽電池 ,  噴散 ,  セレン ,  ソーダ石灰ガラス ,  吸収体 ,  蒸発 ,  銅
準シソーラス用語： CIGS太陽電池 ,  変換効率 ,  蒸着温度 ,  セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 銅インジウムガリウムセレニド ,  ハイブリッドプロセス ,  太陽光発電 ,  スパッタリング ,  超薄膜 ,  吸収体厚み

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 代替 ,  CO ,  作製 ,  極 ,  Cu ,  Ga ,  太陽電池