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J-GLOBAL ID:201702234739411505   整理番号:17A1344247

正孔輸送材料としての化学的にドープしたPCDTBTを用いた効率的なペロブスカイト光起電素子【Powered by NICT】

Efficient perovskite photovoltaic devices using chemically doped PCDTBT as a hole-transport material
著者 (8件):
資料名:
巻:号: 30  ページ: 15714-15723  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0204B  ISSN: 2050-7488  CODEN: JMCAET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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分子材料TBP,LiTFSI及びFK209を用いたカルバゾール系共役高分子PCDTBTを化学的ドーピングにより,伝導率は10~5倍増加させることができることを示した。このようなドープしたPCDTBT膜は標準アーキテクチャ(CH(NH_2)2PbI_3)0.85(CH_3NH_3PbBr_3)0.15ペロブスカイト太陽電池(PSCs)のための正孔輸送材料(HTM)として使用した。を最適化PCDTBT厚さとドーピングレベルを持つ素子は15.9%のピーク電力変換効率(PCE)を達成することを示した。もPSCのための効率的なHTMとして作用できることを多くの関連するドープした共役重合体の期待される。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (5件):
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