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J-GLOBAL ID：201702234749357823   整理番号：17A0326029

フレキシブル抵抗スイッチング素子のための2次元六方晶窒化ほう素/高分子ナノ複合材料【Powered by NICT】

A two-dimensional hexagonal boron nitride/polymer nanocomposite for flexible resistive switching devices

著者 (4件)： Siddiqui Ghayas Uddin (Department of Mechatronics Engineering, Jeju National University, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Rehman Muhammad Muqeet ,  Yang Young-Jin ,  Choi Kyung Hyun
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 4  ページ： 862-871  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機-無機ハイブリッドナノ複合材料を種々の電子デバイスへの応用のための魅力的な選択である。ハイブリッドナノ複合材料のユニークな特性のために,素子における記憶効果,2D材料に基づいて調べた:窒化ホウ素(BN)とポリマ,ポリビニルアルコール(PVOH)。メモリ素子は,電気流体力学的噴霧(EHDA)と往復頭(RPC)を含む全ての印刷法を用いたフレキシブルITO被覆PET基板上に作製した。作製した素子は,低電流コンプライアンスと小さな作動電圧での不揮発性,書き換え可能,特徴的なバイポーラ抵抗スイッチングをdisplaid。伝導機構は,導電性フィラメント状であると推論とスイッチング特性に及ぼす温度とデバイスサイズの影響により検証した。Raman,FTIR及びUV/Vis分光法は,蒸着したままのhBN/PVOH薄膜の光学的性質の研究に採用した。形態学的特性をFESEMとA FM技術によって分析した。1500サイクルの種々の曲げ直径(50 4 mm)で曲げ試験は,作製したデバイスの機械的ロバスト性を示すために行なわれた。電気的および機械的特性の注目すべきほど安定で,再現性のある結果は,このハイブリッドナノ複合材料将来のフレキシブル,ロバストで低電力不揮発性メモリデバイスのための有望な候補にしている。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  記憶効果 ,  *スイッチング素子 ,  再現性 ,  非揮発性 ,  電気流体力学 ,  有機-無機ハイブリッド ,  ロバスト性 ,  窒化ホウ素 ,  *二次元 ,  不揮発性メモリ ,  モルフォロジー ,  *ナノ複合材料
準シソーラス用語： 電界放出型走査電子顕微鏡 ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： スイッチング素子 ,  2次元 ,  六方晶窒化ほう素 ,  高分子ナノ複合材料