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J-GLOBAL ID：201702234765554213   整理番号：17A1492663

歪んだ金表面における銅のアンダポテンシャル電着プロセスを理解する【Powered by NICT】

Understanding the copper underpotential deposition process at strained gold surface

著者 (4件)： Yang Mingzhu (Tianjin Key Laboratory of Advanced Functional Porous Materials, Institute for New Energy Materials and Low-Carbon Technologies, School of Materials Science and Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Zhang Haixia (Tianjin Key Laboratory of Advanced Functional Porous Materials, Institute for New Energy Materials and Low-Carbon Technologies, School of Materials Science and Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Deng Qibo (Tianjin Key Laboratory of Advanced Functional Porous Materials, Institute for New Energy Materials and Low-Carbon Technologies, School of Materials Science and Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Deng Qibo (Institute of Material Physics and Technology, Hamburg University of Technology, Hamburg 21073, Germany.)
資料名： Electrochemistry Communications  (Electrochemistry Communications)
巻： 82  ページ： 125-128  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1133A  ISSN： 1388-2481  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金表面上の銅アンダポテンシャル電着(UPD)は歪変調電着を理解するためにその場繰返し歪と結合したサイクリックボルタンメトリーにより調べた。著者らの研究は,電気毛管結合係数Cの定量,E,Cu電着電位の応答を関係づける適用歪εを強調した。歪への異なる応答は,二Cu UPD(アンダポテンシャル電着)段階で観測された。データは引張歪は,Au表面上のCu単分子層の形成を促進することを示した。典型的な電着過程は,外部機械的歪みによって調節できた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *アンダポテンシャル電着 ,  電位 ,  *電着 ,  *金 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  単分子層 ,  *銅 ,  結合係数
準シソーラス用語： 引張歪 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 金属電解質界面 ,  電気毛管結合 ,  歪変調 ,  銅電着

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 金 ,  銅 ,  アンダポテンシャル電着 ,  プロセス ,  理解