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J-GLOBAL ID：201702234822186075   整理番号：17A0909947

被覆Pt超薄膜によるZnOナノロッドの電界放出を改善するための欠陥修正【Powered by NICT】

Defect modification to improve field emission of ZnO NRs by coating ultrathin Pt films

著者 (4件)： Ding Jijun (College of Science, Xi’an Shiyou University, Xi’an, Shaanxi 710065, China) ,  Chen Haixia (College of Science, Xi’an Shiyou University, Xi’an, Shaanxi 710065, China) ,  Feng Dequan (College of Science, Xi’an Shiyou University, Xi’an, Shaanxi 710065, China) ,  Fu Haiwei (College of Science, Xi’an Shiyou University, Xi’an, Shaanxi 710065, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 714  ページ： 198-203  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄白金(Pt)膜はFe合金基板上に成長させたZnO NRの表面上に被覆し,2.62V/μmまでのターンオン電界E0.40V程度の低い/μmとしきい値電場Eを持つ優れた電界放出性能を示した。ZnO NRの表面上の超薄Pt膜を被覆することにより,これはZnO NRの外表面上に線欠陥を改変するのに役立つだけでなく,欠陥方向に沿ったランダムな電子放出を抑制した。外部電場では,高度に局在化した電場が生じた部分大量の電子がZnO NRのトップに輸送される,これは増強された電界放出をもたらす。に加えて,Fe合金基板上に成長させたZnO NRは,低い界面接触抵抗を持ち,基板とZnOの間の障壁を低下させることを意図している。一方,金属Pt膜は,真空に向けたZnO NRからの電子のための高導電性経路を保証する発光中心,これはZnOと真空の間の障壁を効果的に減少させるを得るのに役立つことができる。最後に,ZnO PtのFe-ZnOと対応するFermi準位のSchottky接触は,強化された電流発光効率に寄与する。ZnO電界エミッタに基づいた実用的な電子源と先端デバイスの開発を助けるであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子源 ,  接触抵抗 ,  *被覆 ,  *電界放出 ,  導電性 ,  電場 ,  *白金 ,  鉄合金 ,  *超薄膜 ,  界面 ,  *酸化亜鉛 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  電界エミッタ ,  ターンオン電界 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Pt膜 ,  ZnOナノロッド ,  電子輸送 ,  電界放出機構

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pt ,  超薄膜 ,  ZnOナノロッド ,  電界放出 ,  欠陥