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J-GLOBAL ID：201702234840050561   整理番号：17A1000015

銀基板上に成長させたAlGaN/GaNヘテロ構造における効率的熱散逸【Powered by NICT】

Efficient heat dissipation in AlGaN/GaN heterostructure grown on silver substrate

著者 (11件)： Mikulics M. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, D-52425 Juelich, Germany) ,  Mikulics M. (Juelich-Aachen Research Alliance, JARA, Fundamentals of Future Information Technology, Germany) ,  Kordos P. (Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, SK-81219 Bratislava, Slovakia) ,  Fox A. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, D-52425 Juelich, Germany) ,  Fox A. (Juelich-Aachen Research Alliance, JARA, Fundamentals of Future Information Technology, Germany) ,  Kocan M. (School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, University of Western Australia, Crawley, WA, Australia) ,  Lueth H. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, D-52425 Juelich, Germany) ,  Lueth H. (Juelich-Aachen Research Alliance, JARA, Fundamentals of Future Information Technology, Germany) ,  Sofer Z. (Department of Inorganic Chemistry, Institute of Chemical Technology, Prague, Technicka 5, 166 28 Prague 6, Czechia) ,  Hardtdegen H. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, D-52425 Juelich, Germany) ,  Hardtdegen H. (Juelich-Aachen Research Alliance, JARA, Fundamentals of Future Information Technology, Germany)
資料名： Applied Materials Today  (Applied Materials Today)
巻： 7  ページ： 134-137  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3082A  ISSN： 2352-9407  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,有機金属気相エピタクシー(MOVPE)及び分子ビームエピタクシー(MBE)に基づく新規「複合」二段階エピタキシャル法による金属/銀基板上に堆積したAlGaN/GaNヘテロ構造の研究を提示した。チャネル温度は高い横方向とスペクトル分解能Raman分光法により決定した。構造物の特性はサファイア上に堆積した従来のAlGaN/GaN層のそれと比較した。金属基板ベースのFETにおける改良された熱散逸はチャネル温度(7W/mmで 60%)の有意な減少をもたらし,調査(~1000時間まで)下での全範囲でのドレイン電流(±2%)の長期安定性に有利な影響を及ぼす金属基板は高度に信頼性のある高出力デバイスに向けた実行可能な解決策であるとした低消費電力エレクトロニクスに有益な,高集積密度も効率的な熱散逸を必要とする。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  *銀 ,  サファイア ,  MOCVD ,  信頼性 ,  MBE成長 ,  Raman分光法 ,  電子技術
準シソーラス用語： 高出力 ,  長期安定性 ,  ドレイン電流 ,  金属基板 ,  *熱散逸 ,  *ヘテロ構造 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 金属基板 ,  AlGaN/GaNH FET ,  熱管理 ,  熱散逸

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 銀 ,  成長 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  熱散逸