文献

J-GLOBAL ID：201702234992827374   整理番号：17A1349380

GaN EモードH EMTの動的オン状態抵抗に起因する電力損失のモデリングと定量化【Powered by NICT】

Modelling and quantification of power losses due to dynamic on-state resistance of GaN E-mode HEMT

著者 (4件)： Spro Ole Christian (Department of Electric Power Engineering, Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norway) ,  Peftitsis Dimosthenis (Department of Electric Power Engineering, Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norway) ,  Midtgard Ole-Morten (Department of Electric Power Engineering, Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norway) ,  Undeland Tore (Department of Electric Power Engineering, Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norway)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： COMPEL  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コンバータ応用で採用されている高電圧GaNエンハンスメントモードH EMT(eHEMT)における付加損失を定量化するための方法を検討した。付加的損失は電流崩壊または動的オン状態抵抗として知られる現象に由来する。本研究の目的は,これらの損失はコンバータ応用における全電力損失に寄与するかを調べることである。文献における測定とモデリング法をレビューした。測定回路の変化は測定精度を改善した。動的オン状態抵抗の測定は,市販のGaN eHEMTについて行った。実験結果は,抵抗は,DCリンク電圧とブロッキング時間の両方に依存することを示した。動的オン状態抵抗モデリングでの抵抗波形と最初の試みを提案モデルであるLTSPICEソフトウェアの損失モデル化に適することを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  電圧 ,  *モデリング ,  *窒化ガリウム ,  ブロッキング ,  変換器 ,  測定精度 ,  ソフトウェア ,  直流リンク
準シソーラス用語： 測定回路 ,  エンハンスメントモード ,  *電力損失 ,  *オン状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  EMT ,  オン状態 ,  起因 ,  電力損失 ,  モデリング ,  定量化