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J-GLOBAL ID：201702235013350186   整理番号：17A1343426

InGaN/GaN層を持つ移動GaN系薄膜の作製と改良された光電気化学特性【Powered by NICT】

Fabrication and improved photoelectrochemical properties of a transferred GaN-based thin film with InGaN/GaN layers

著者 (8件)： Cao Dezhong (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China. [e-mail]) ,  Xiao Hongdi ,  Gao Qingxue ,  Yang Xiaokun ,  Luan Caina ,  Mao Hongzhi ,  Liu Jianqiang ,  Liu Xiangdong
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 32  ページ： 11504-11510  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,強い相分離InGaN/GaN層とn-GaN層からなる,リフトオフメソ多孔質GaN薄膜を初めてフッ化水素酸(HF)溶液中での電気化学的エッチング法により作成し,これを石英またはn-Si基板上に移動し,1MのNaCl水溶液中で光電気化学(PEC)水分解中の光アノードとして作用する。成長させたままのGaN膜と比較して,移動したGaN薄膜は,より高いと青方偏移発光を持ち,おそらくメソ多孔性n-GaNに埋め込まれたInGaN/GaN層における表面面積と応力緩和の増加から生じる。(i)高い光変換効率,(ii)低いターンオン電圧( 0.79V対Ag/AgCl),および(iii)優れた安定性などの特性は,移行膜は優れたPEC水分解能力を持っていることを可能にした。さらに,石英基板上へ移送されたフィルムと比較して,n-Si基板に移された膜はn-Si基板に由来するメソ多孔性n-GaN層における正孔(h~+)のために,より高い光変換効率( 0.10Vで2.99%)を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  *光電気化学 ,  発光 ,  石英 ,  *窒化ガリウム ,  塩化ナトリウム ,  相分離 ,  正孔 ,  水溶液 ,  青方偏移 ,  エッチング
準シソーラス用語： 光変換 ,  光アノード ,  水分解 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  GaN ,  薄膜 ,  作製 ,  光電気化学特性