文献

J-GLOBAL ID：201702235043882297   整理番号：17A0375092

空気安定性の高いコバルトをドープしたすず系ペロブスカイト材料に関する研究【Powered by NICT】

Study on cobalt doped tin based perovskite material with enhanced air stability

著者 (3件)： Yuan Jiongliang (Department of Environmental Science and Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, PR China) ,  Li Bo (Department of Chemical Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, PR China) ,  Hao Cunjiang (Department of Experimental Teaching, Tianjin University of Traditional Chinese Medicine, and Tianjin Key Laboratory of Chemistry and Analysis of Chinese Materia Medica, Tianjin 300193, PR China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 57  ページ： 95-98  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉛ハロゲン化物ペロブスカイト太陽電池の電力変換効率>20%にブーストが,鉛の毒性はそれらの大規模な実施を妨げている。すずベースのペロブスカイトは毒性が少ないが,その空気安定性は大きな挑戦である。本研究では,すずベースのペロブスカイトの空気安定性はコバルトをドーピングすることにより改善された。立方晶構造をもつコバルトをドープしたすずベースのペロブスカイト薄膜(GASn_1Co_I_2II Cl_1~+2)を一段階スピンコーティング法により調製した。全てGASn_1Co_I_2II Cl_1~+2(0.025≦x≦0.15)ペロブスカイト材料は可視光スペクトル領域で強い吸収を示した。ボルタンメトリー測定によれば,GASn_1Co_I_2II Cl_1~+2(x=0.15)の最高被占分子軌道(HOMO)と最低非占有分子軌道(LUMO)は,それぞれ, 5.45及び 3.99eVで,バンドギャップは1.46eVと計算された。コバルトをドープしたすずベースのペロブスカイト薄膜にSn3dとI3dの結合エネルギーの増加は,強化された空気安定性の理由である可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 太陽電池 ,  LUMO ,  薄膜 ,  *ドーピング ,  バンドギャップ ,  スピンコーティング ,  鉛 ,  HOMO ,  毒性 ,  結合エネルギー ,  可視光 ,  分子軌道 ,  *スズ ,  *コバルト
準シソーラス用語： 電力変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Semiconductors ,  すずベースペロブスカイト ,  コバルトドーピング ,  空気安定性 ,  バンドギャップ

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 安定性 ,  コバルト ,  ドープ ,  すず ,  ペロブスカイト ,  研究