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J-GLOBAL ID：201702235059975514   整理番号：17A0616004

組成調整量子井戸におけるRashbaスピン軌道相互作用のゲート電圧誘起スイッチング

Gate-voltage-induced switching of the Rashba spin-orbit interaction in a composition-adjusted quantum well

著者 (3件)： AKERA Hiroshi (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  SUZUURA Hidekatsu (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  EGAMI Yoshiyuki (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 95  号： 4  ページ： 045301.1-045301.5  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *スピン-軌道相互作用 ,  *量子井戸 ,  *電圧 ,  スイッチング ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  ヒ素化合物 ,  電場 ,  アルミニウム化合物 ,  界面 ,  磁気緩和 ,  緩和速度
準シソーラス用語： *Rashbaスピン-軌道相互作用 ,  *ゲート電圧 ,  外部電場 ,  ヘテロ界面 ,  スピン緩和

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 組成 ,  量子井戸 ,  Rashbaスピン軌道相互作用 ,  ゲート ,  電圧誘起 ,  スイッチング