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J-GLOBAL ID：201702235089676102   整理番号：17A1141575

フェムト秒レーザー照射により作製したSiC上Ni電極の電気特性評価

著者 (3件)： 川上博貴 (徳島大 工) ,  直井美貴 (徳島大 工) ,  富田卓朗 (徳島大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.8a-A410-2  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電極 ,  *ニッケル ,  *炭化ケイ素 ,  *フェムト秒レーザ ,  *パルスレーザ照射 ,  *電流電圧特性 ,  キャリア移動度 ,  Ohm接触 ,  焼なまし ,  シート抵抗 ,  画像処理 ,  視野
準シソーラス用語： *Ni電極

分類 (4件)： 電解装置  (XE02030E) ,  レーザの応用  (BD04100V) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  光源  (BD07020D)

タイトルに関連する用語 (6件)： フェムト秒レーザー ,  作製 ,  SiC ,  Ni電極 ,  電気特性 ,  評価