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J-GLOBAL ID：201702235140274902   整理番号：17A1568184

0.18μm1.8/3.3V低電圧CMOSプロセスにおける16チャネル12V耐性刺激器実現のためのディジタル動的電力供給技術【Powered by NICT】

A Digitally Dynamic Power Supply Technique for 16-Channel 12 V-Tolerant Stimulator Realized in a 0.18- μm 1.8-V/3.3-V Low-Voltage CMOS Process

著者 (4件)： Luo Zhicong (Institute of Electronics, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Ker Ming-Dou (National Chiao-Tung University, Institute of Electronics, Hsinchu, Taiwan) ,  Yang Tzu-Yi (National Chiao-Tung University, Institute of Electronics, Hsinchu, Taiwan) ,  Cheng Wan-Hsueh (National Chiao-Tung University, Institute of Electronics, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems  (IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems)
巻： 11  号： 5  ページ： 1087-1096  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1885A  ISSN： 1932-4545  CODEN： ITBCCW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 16チャネル12V耐性刺激装置のための新しいディジタル動的電力供給技術は0.18μm1.8V/3.3V CMOSプロセスで提案し実現した。提案した刺激を4回公称電源電圧(4×V_DD)に耐えるプルダウンスイッチとプルアップスイッチとして四積層トランジスタを用いた。3.3Vの直流入力電圧で,調節される三段チャージポンプ,mA負荷電流で11.3Vの電圧を与えることが出来るは400pF統合容量69%までのdc変換効率を達成した。消費電力は,0.5Vステップを用いた動的dc出力電圧を供給するため調節され電荷ポンプを実行することによって減少した。,プルダウン電流源とディジタル制御器を持つp型金属-酸化物-半導体(PMOS)インバータを用いて実装された,提案したディジタル動的電力供給技術は,システムの電力効率を大幅に改善した。刺激装置のシリコン面積は,16チャネル実装のための約3.5mm~2であった。提案した刺激装置の機能性は動物実験により検証することに成功した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チャネル ,  半導体 ,  *電圧 ,  *CMOS ,  *電力供給 ,  電力効率 ,  消費電力 ,  *ディジタル方式
準シソーラス用語： PMOS構造 ,  電流源 ,  出力電圧 ,  負荷電流 ,  電源電圧 ,  *CMOSプロセス ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： ディジタルフィルタ  (NC04022Z) ,  移動通信  (ND08030H) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  人間機械系  (IB03000G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低電圧 ,  CMOSプロセス ,  チャネル ,  耐性 ,  刺激器 ,  ディジタル ,  電力供給