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J-GLOBAL ID：201702235162418199   整理番号：17A0403155

HOPGのトップ1 6層におけるp_z-,π電子とσ_pホールの相互作用の特異性【Powered by NICT】

Peculiarities of interaction of the p_z-, π- electrons and the σ_p-holes at the top 1-6 layers of HOPG

著者 (2件)： Dementjev A.P. (NRC “Kurchatov Institute”, Moscow, 123182, Russia) ,  Ivanov K.E. (NRC “Kurchatov Institute”, Moscow, 123182, Russia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 399  ページ： 551-554  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： πバンドの層間相互作用を同定するために,本研究は,Dementjevら(2015)の結果の解析を続けている。高度に規則化したパイログラファイトのN(E)C KVV Augerスペクトルの解析から,1 6層におけるπバンドの間の電子交換の欠如を示した。πバンドはp_z→π遷移により形成されるので,各グラフェン層でπバンド占有はこの層のp_z電子によって形成されることを示唆した。p_z電子はσ_pバンドに属するので,2 6グラフェン層のそれぞれにおけるσ_pバンドにおけるp_z→π遷移は正孔Hを形成し,その濃度はπバンドにおける電子の濃度に等しいをもたらす[H_i][π_i]。これはグラフェンにおける両極性伝導率の起源を示した。πバンド間の電子的相互作用が存在しないことは,上位六グラフェン層の間の相互作用はvan der Waals静電引力によるものであるという暗示を可能にした。これらの力は2 6グラフェン層のそれぞれにおけるp_z→π転移を促進し,上のグラフェン層の数に依存する。N(E)C KVV Augerスペクトルは,グラフェン層の数(1 6)の同定と層の各々でπバンド占有を可能にした。初めてHOPGにおけるvan der Waals力の仕様記述を行った。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： グラフェン ,  *π電子 ,  van der Waals力 ,  パイログラファイト ,  正孔 ,  *相互作用 ,  仕様記述 ,  スペクトル ,  電子交換 ,  *高配向性熱分解グラファイト
準シソーラス用語： 伝導率 ,  両極性 ,  層間相互作用 ,  特異性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Auger分光法 ,  グラフェン ,  HOPG

分類 (1件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (6件)： HOPG ,  トップ ,  π電子 ,  ホール ,  相互作用 ,  特異性