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J-GLOBAL ID：201702235188587208   整理番号：17A0605010

強磁性体-超伝導体-強磁性体電極で構成される単一電子トランジスタのゲート電圧と外部磁場に対する応答

Electric and Magnetic Field Responses of Single-Electron Transistors Composed of Superconducting Island with Ferromagnetic Leads

著者 (4件)： 水柿義直 (電通大 大学院情報理工学研究科) ,  滝口将志 (電通大 大学院情報理工学研究科) ,  田村伸行 (電通大 大学院情報理工学研究科) ,  島田宏 (電通大 大学院情報理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 6(ED2017 1-14)  ページ： 47-50  発行年： 2017年04月13日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 強磁性体(Ferromagnet:FM)であるコバルト(Co)と超伝導体(Superconductor:SC)であるアルミ(Al)をそれぞれリード電極と島電極に用いた単一電子トランジスタ(Single-Electron Transistor:SET)の特性について報告する。高抵抗を有するSET1と低抵抗を有するSET2を作製し,それぞれの特性を約0.1Kの低温下で評価した。SETのON/OFFの2状態と,FMリード電極の2種類の磁化配置(平行Pと反平行AP)を組み合わせた,「P&SET-ON」「P&SET-OFF」「AP&SET-ON」「AP&SET-OFF」の4種類の状態でのI-V特性,およびSETのON/OFFそれぞれにおける磁気抵抗比(Magnetoresistance ratio:MEE)を得た。高抵抗のSET1では,全てのバイアス電圧に対してMRRは正であり,またSET-OFF状態にて明瞭な磁気抵抗増大現象が確認された。低抵抗のSET2では,高バイアス電圧にて負のMRRが,低バイアス電圧では正のMRRが得られた。MRRの正負が切り替わるバイアス電圧は,SETのON/OFF状態で変化した。(著者抄録)

シソーラス用語： *単一電子トランジスタ ,  Coulombブロッケード ,  *電極 ,  *コバルト ,  強磁性体 ,  *アルミニウム ,  超伝導体 ,  電流電圧特性 ,  *磁気抵抗
準シソーラス用語： Coulomb閉塞 ,  I-V特性 ,  *SET【半導体】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E)

引用文献 (14件)：

• K. K. Likharev, Proc. IEEE, vol. 87, no. 4, pp. 606-632, Apr., 1999.
• K. Ono, H. Shimada, and Y. Ootuka, J. Phys. Soc. Jpn., vol. 66, no. 5, pp.1261-1264, May, 1997.
• H. Yang, S. Yang, S. Takahashi, S. Maekawa, and S. P. P. Parkin, Nature Mat., vol. 9, pp. 586-593, Jul, 2010.
• S. Takahashi, H. Imamura, and S. Maekawa, Phys. Rev. Lett., vol. 82, no. 19, pp. 6237-6242, May, 1999.
• M. Takiguchi, T. Sato, H. Shimada, and Y. Mizugaki, JPS Conf. Proc., vol. 1,012004-1-5, Mar., 2014.

タイトルに関連する用語 (5件)： 強磁性体 ,  単一電子トランジスタ ,  ゲート電圧 ,  外部磁場 ,  応答