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J-GLOBAL ID：201702235231794688   整理番号：17A0982080

MTJ/MOSハイブリッド回路技術

MTJ/MOS-hybrid logic-circuit technology.

著者 (1件)： 羽生貴弘 (東北大 電通研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 86  号： 8  ページ： 662-665  発行年： 2017年08月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 不揮発性記憶機能を有する磁気トンネル接合(MTJ)をCMOS集積回路に内蔵させた新しい集積回路アーキテクチャ「MTJ/MOSハイブリッド回路技術」を示し,超微細加工技術の進展に伴い従来型CMOS集積回路で一層深刻となっている電力消費増大の問題が,この集積回路アーキテクチャにより解決できる原理とその回路構成の具体例を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  トルク ,  不揮発性メモリ ,  DRAM ,  SRAM ,  電力制御 ,  オンオフ制御 ,  CMOS ,  *FPGA ,  *連想メモリ
準シソーラス用語： MTJ ,  スピントルク ,  パワーゲーティング ,  TCAM

分類 (2件)： 論理回路  (NC05070B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (37件)：

• http://www.itrs2.net/
• M. Hosomi, H. Yamagishi, T. Yamamoto, K. Bessho, Y. Higo, K. Yamane, H. Yamada, M. Shoji, H. Hachino, C. Fukumoto, H. Nagao, and H. Kano: Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. p.459 (2005).
• T. Kawahara, R. Takemura, K. Miura, J. Hayakawa, S. Ikeda, Y.M. Lee, R. Sasaki, Y. Goto, K. Ito, T. Meguro, F. Matsukura, H. Takahashi, H. Matsuoka, and H. Ohno: IEEE J. Solid-St. Circ. 43, 109 (2008).
• T. Ohsawa, S. Miura, K. Kinoshita, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh: Symp. VLSI Circuits Dig. Tech. Papers p.^C 110 (2013).
• N.D. Rizzo, D. Houssameddine, J. Janesky, R. Whig, F.B. Mancoff, M.L. Schneider, M. DeHerrera, J.J. Sun, K. Nagel, S. Deshpande, H.-J. Chia, S. M. Alam, T. Andre, S. Aggarwal, and J.M. Slaughter: IEEE Trans. Magn. 49, 4441 (2013).

タイトルに関連する用語 (3件)： MTJ ,  MOS ,  ハイブリッド回路