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J-GLOBAL ID：201702235266625161   整理番号：17A0445154

ZnO/0 5Ba(Zr_0 2Ti_0 8)O_3O(Ba_0 7Ca_0 3)TiO_3ヘテロ構造における抵抗スイッチング効果の解明【Powered by NICT】

Unraveling the resistive switching effect in ZnO/0.5Ba(Zr_0.2Ti_0.8)O₃-0.5(Ba_0.7Ca_0.3)TiO₃ heterostructures

著者 (10件)： Silva J.P.B. (Centre of Physics, University of Minho, Campus de Gualtar, 4710-057 Braga, Portugal) ,  Silva J.P.B. (IFIMUP and IN-Institute of Nanoscience and Nanotechnology, Departamento de Fisica e Astronomia, Faculdade de Ciencias da Universidade do Porto, Rua do Campo Alegre 687, 4169-007 Porto, Portugal) ,  Vorokhta M. (Department of Surface and Plasma Science, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, V Holesovickach 2, 18000 Prague 8, Czech Republic) ,  Dvorak F. (Department of Surface and Plasma Science, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, V Holesovickach 2, 18000 Prague 8, Czech Republic) ,  Sekhar K.C. (Centre of Physics, University of Minho, Campus de Gualtar, 4710-057 Braga, Portugal) ,  Sekhar K.C. (Department of Physics, School of Basic and Applied Science, Central University of Tamil Nadu, Thiruvarur 610 101, India) ,  Matolin V. (Department of Surface and Plasma Science, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, V Holesovickach 2, 18000 Prague 8, Czech Republic) ,  Moreira J. Agostinho (IFIMUP and IN-Institute of Nanoscience and Nanotechnology, Departamento de Fisica e Astronomia, Faculdade de Ciencias da Universidade do Porto, Rua do Campo Alegre 687, 4169-007 Porto, Portugal) ,  Pereira M. (Centre of Physics, University of Minho, Campus de Gualtar, 4710-057 Braga, Portugal) ,  Gomes M.J.M. (Centre of Physics, University of Minho, Campus de Gualtar, 4710-057 Braga, Portugal)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 400  ページ： 453-460  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO 0.5Ba(Zr_0 2Ti_0)O_3O(Ba_0 7Ca_0,3)TiO_3(0.5BZT 0.5BCT)界面でのバンド整列とパルスレーザ蒸着したZnO/0 0.5BZT 0.5BCTヘテロ構造の抵抗スイッチング(RS)挙動に及ぼす酸素分圧,ZnO層の蒸着に用いた,の影響を報告した。X線光電子分光法(XPS)により価電子帯オフセットとZnO/0 0.5BZT 0.5BCTヘテロ接合の伝導バンドオフセットを測定した。酸素分圧の10~ 2mbarで蒸着したZnOとZnO/0 0.5BZT 0.5BCTヘテロ構造の価電子帯と伝導帯のオフセットは0.27と0.80eVであることが分かった。ヘテロ構造におけるRS効果は,強誘電体層のスイッチング可能な分極と半導体層の非スイッチ分極間の電荷カップリングに基づいて説明した。酸素分圧の10~ 2mbarで蒸着したZnOヘテロ構造は,最適RS特性を示し,≧10~4と優れた保持特性や耐久特性スイッチング比を持っていた。最適RS特性は,ZnO中の十分なキャリア濃度と良好な界面品質に起因し,XPSによって証明された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 価電子バンド ,  強誘電体 ,  パルスレーザ蒸着 ,  オフセット ,  *酸化亜鉛 ,  電荷 ,  ヘテロ接合 ,  界面 ,  X線光電子分光法 ,  キャリア密度 ,  伝導バンド ,  *スイッチ
準シソーラス用語： 酸素分圧 ,  *抵抗スイッチング ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 抵抗スイッチング ,  ZnO/0 5BZT O5BCTヘテロ接合 ,  電荷結合効果

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnO ,  ヘテロ構造 ,  スイッチング効果