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J-GLOBAL ID：201702235288319808   整理番号：17A1250854

不純物誘起不規則化を備えたVCSELのモード挙動【Powered by NICT】

Mode Behavior of VCSELs With Impurity-Induced Disordering

著者 (4件)： O’Brien Thomas (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL, USA) ,  Kesler Benjamin (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL, USA) ,  Al Mulla Saoud (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL, USA) ,  Dallesasse John M. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL, USA)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 29  号： 14  ページ： 1179-1182  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密閉アンプル亜鉛拡散による不純物誘起不規則化(IID)により定義された放出開口を変えた酸化物閉込め垂直共振器形面発光レーザ(VCSEL)のモーダル挙動を調べた。IID強度と深さの関数としてのミラー損失を計算するための一次元平面波伝搬法。素子は基本モードを中心とした重複するように設計された非修飾放出開口を定義する酸化物開口の約70%~110%の範囲のマスクされた領域を用いて作製した。横モードレーザ発振特性とモード依存熱特性の解析はIID環の間の増加する重複に関連した熱性能の低下を示し,VCSEL共振器の光学モードを支持した。30dBm,サイドモード抑圧比で1.6mWの単一モード出力パワーは約1.3μmのIID定義出力開口をもつ3μm素子から達成される。単一基本モード出力パワーを最大化するための酸化物開口比に最適IID放出開口を実験的に測定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光学モード ,  一次元 ,  レーザ発振 ,  亜鉛 ,  平面波 ,  *不純物 ,  熱特性 ,  開口 ,  単一モード ,  基準モード ,  *垂直共振器形面発光レーザ ,  共振器 ,  酸化物 ,  横モード
準シソーラス用語： サイドモード抑圧比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不純物 ,  誘起 ,  VCSEL ,  挙動