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J-GLOBAL ID：201702235293351389   整理番号：17A1271149

室温でのウルツ鉱型GaN MOSFETにおける電子冷却下でのTHz雑音と発生のモンテカルロシミュレーション【Powered by NICT】

Monte Carlo simulation of THz noise and generation under electron cooling in wurtzite GaN MOSFET at room temperature

著者 (7件)： Gruzinskis V. (Electron. Dep., National Center for Phys. Sci. and Technol., Vilnius LT 10257, Lithuania) ,  Shiktorov P. (Electron. Dep., National Center for Phys. Sci. and Technol., Vilnius LT 10257, Lithuania) ,  Starikov E. (Electron. Dep., National Center for Phys. Sci. and Technol., Vilnius LT 10257, Lithuania) ,  Marinchio H. (Institute of Electronics and Systems, University of Montpellier 34095, France) ,  Palermo C. (Institute of Electronics and Systems, University of Montpellier 34095, France) ,  Torres J. (Institute of Electronics and Systems, University of Montpellier 34095, France) ,  Varani L. (Institute of Electronics and Systems, University of Montpellier 34095, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICNF  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： THz発生ウルツ鉱型GaN MOSFETの最適化における電子輸送とドレイン電流雑音はBoltzmann輸送方程式と擬似2D Poisson方程式を同時に解くモンテカルロ粒子シミュレーションにより研究した。300Kでゲート下のドレイン電流と平均電子エネルギーは,ドレインバイアスの関数として計算した。ゲート下の平均電子エネルギーは熱電子エネルギーよりも小さいときに電子冷却を実証した。光学フォノン放出による電流電圧関係のような段階を示した。は6~10THzの周波数範囲のTHz発生は室温で可能であることが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モンテカルロ法 ,  *電子冷却 ,  電流 ,  *窒化ガリウム ,  *雑音 ,  電圧 ,  *MOSFET ,  最適化
準シソーラス用語： フォノン放出 ,  電子エネルギー ,  輸送方程式 ,  ドレイン電流 ,  電子輸送 ,  *モンテカルロシミュレーション ,  *ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 室温 ,  ウルツ鉱 ,  GaN ,  MOSFET ,  電子冷却 ,  雑音 ,  モンテカルロシミュレーション