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J-GLOBAL ID：201702235449103726   整理番号：17A1272784

ハイブリッド電気自動車と電気自動車インバータに使用される電流と高速絶縁ゲートバイポーラトランジスタのためのゲートドライバ集積回路【Powered by NICT】

Gate driver integrated circuit for high-current and high-speed insulated-gate bipolar transistors used in hybrid electric vehicle and electric vehicle inverters

著者 (2件)： Sakurai Naoki (Hitachi, Ltd., Research & Development Group, 1-1, Omika-cho 7-chome, Hitachi-shi, Ibaraki-ken, 319-1292 Japan) ,  Yahata Koichi (Hitachi Automotive Systems, Ltd, 2520 Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki-ken, 312-8503 Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IFEEC 2017 - ECCE Asia  ページ： 947-952  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HEVとEVのための最大500AのIGBTを供給できるゲートドライバICを開発した。新しく開発したZenerクランプ回路は短絡(SC)モードにおけるIGBTスパイク電圧を効果的に抑制した。シリコン-オン-インシュレータ(SOI)プロセスを用いて,高温動作と高サージ保護を達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *高速度 ,  クランプ回路 ,  *ハイブリッド自動車 ,  *IGBT ,  電圧 ,  *電気自動車 ,  *集積回路 ,  *電流
準シソーラス用語： サージ保護 ,  高温動作 ,  ドライバIC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気自動車  (QG07020B)

タイトルに関連する用語 (7件)： ハイブリッド電気自動車 ,  電気自動車 ,  インバータ ,  絶縁ゲートバイポーラトランジスタ ,  ゲート ,  ドライバ ,  集積回路