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J-GLOBAL ID：201702235509900429   整理番号：17A1445913

足場層としてのポリオキソ金属酸塩の純粋薄膜を用いた高効率MAPbI_3ペロブスカイト太陽電池【Powered by NICT】

High Efficiency MAPbI₃ Perovskite Solar Cell Using a Pure Thin Film of Polyoxometalate as Scaffold Layer

著者 (5件)： Sardashti Mohammad Khaledi (Department of Chemistry, Faculty of Sciences, Sharekord Branch, Islamic Azad University, Shahrekord, 88137-33395, Iran) ,  Zendehdel Mahmoud (K.S.R.I., Kimia Solar Research Institute, Kimia Solar Company, Isfahan, 87137-45868, Iran) ,  Nia Narges Yaghoobi (Centre for Hybrid and Organic Solar Energy, CHOSE, University of Rome Tor Vergata, via del Politecnico 1, Rome, 00133, Italy) ,  Karimian Davud (K.S.R.I., Kimia Solar Research Institute, Kimia Solar Company, Isfahan, 87137-45868, Iran) ,  Sheikhi Mohammad (S.E.M.C.O., Iranian Strategic Energy and Carbon Management Company, Tehran, 14747-84549, Iran)
資料名： ChemSusChem  (ChemSusChem)
巻： 10  号： 19  ページ： 3773-3779  発行年： 2017年 
JST資料番号： A1411A  ISSN： 1864-5631  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CH_3NH_3PbI_3ベースペロブスカイト太陽電池(PSCs)のための薄膜足場層として[SiW_11O_39]~8ポリオキソメタレート(POM)構造の純粋な層を使用することに成功した。POMの滑らかなナノ多孔性表面は,光電流密度の顕著な改善,外部量子効率(EQE),および足場層としてメソポーラスTiO_2(mp TiO_2)と比較してPSCの全体効率を引き起こす。チャンピオンデバイスの16.3%と15.5%の平均電力変換効率(PCE)値は,ペロブスカイト層を有するPOMと逐次蒸着法を用いて達成することができた。修飾及び無欠陥POM/ペロブスカイト界面は電流-電圧曲線における異常なヒステリシスの消失をもたらした。開回路電圧減衰研究は,POMsを成分として含むPSCにおける電子再結合の有望な減少,POM層内のPOM/ペロブスカイト界面と高い電子輸送の修飾に関連することを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  ヒステリシス ,  界面 ,  電流 ,  再結合 ,  *薄膜 ,  電圧 ,  電流密度
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  開回路電圧 ,  電力変換効率 ,  メソポーラス ,  外部量子効率 ,  ナノポーラス ,  *ポリオキソメタレート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Keggin型 ,  ハロゲン化物鉛 ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  polyoxometalate ,  足場層

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 足場 ,  ポリオキソ金属酸塩 ,  薄膜 ,  高効率 ,  ペロブスカイト太陽電池