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J-GLOBAL ID：201702235543475325   整理番号：17A1720988

正磁歪/負磁歪/圧電積層ヘテロ構造に基づく磁気電気複合材料における増強された磁場感度【Powered by NICT】

Enhanced Magnetic Field Sensitivity in Magnetoelectric Composite Based on Positive Magnetostrictive/Negative Magnetostrictive/Piezoelectric Laminate Heterostructure

著者 (2件)： Chen Lei (Key Lab of Computer Vision and Intelligent Information System, Chongqing University of Arts and Sciences, Chongqing, China) ,  Wang Yao (Electrical and Computer Engineering Department, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 53  号： 11  ページ： ROMBUNNO.4004405.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共鳴磁気電気(ME)応答を正の磁歪材料FeCuNbSiB,負の磁歪材料Niと圧電材料PZT-8から成るME積層ヘテロ構造について調べた。一方,正の磁歪と負の磁歪材料間の強い磁気相互作用により誘起された内蔵磁場とNi層の明らかなヒステリシスと残留磁化を持つ固有異方性場の両方は大きな零バイアスME効果をもたらした。対応する零バイアスME電圧係数は10.12Oe(126.5 V/cm Oe),従来のNi/PZT 8(NP)積層板のそれよりも約3倍に達した。一方,高透磁率FeCuNbSiB層により生成された付加的な応力はNi層とME応答の磁歪を増強した。対応する最大ME電圧係数(dV_ME/dH_ac)は,バイアス磁場H_dc=4Oeで12.09Oe(150.87 V/cm Oe)である。も10~ 10T以下のac磁場のステップ変化を提案したME複合材料により明らかに識別できることが分かった。dc磁場(dV_ME/dH_dc)に対するME電圧感度の値はH_dc=5OeとH_ac=0.1Oeで~76.7mV/Oeに達した。これに対応して,提案した積層ヘテロ構造が強いac及びdc両磁場感度を有することができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 磁気歪材料 ,  *複合材料 ,  *磁歪 ,  交流磁場 ,  異方性 ,  ニッケル ,  透磁率 ,  残留磁化 ,  圧電材料 ,  バイアス ,  *磁気 ,  *圧電気 ,  電圧 ,  *磁場
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 磁歪 ,  圧電 ,  ヘテロ構造 ,  磁気 ,  複合材料 ,  増強 ,  磁場 ,  感度