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J-GLOBAL ID：201702235625898624   整理番号：17A0552111

部分脱水素ポリシランに埋め込みしたシリセンのナノ構造

Embedded silicene nanostructures in partly-dehydrogenated polysilane

著者 (3件)： Li Xiuling (CAS Key Laboratory of Materials for Energy Conversion, School of Chemistry and Materials Sciences, and CAS Center for Excellence in Nanoscience, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, China. [e-mail]) ,  Zeng Xiao Cheng ,  Wu Xiaojun
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 16  ページ： 10401-10405  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 調整可能な電子及び磁気的性質を持つ自立可能なシリセンナノ構造の開発は特にそのナノエレクトロニクスへの利用で重要であるが,未だに大きな課題に直面している。埋め込みにしたシリセンのナノフレークやナノリボンがポリシラン(Si₆H₆)の自立シートを部分的に脱水素すればできることを第一原理計算に基づいて予測した。Born-Oppenheimer分子動力学シミュレーションでは埋め込んだナノ構造が500Kで良好な熱安定性を示すことが分る。特に埋め込んだシリセンのナノ構造が個別のシリセンと同様の電子的性質を表す。この発見が部分脱水素化自立ポリシランから埋め込んだシリセンのナノ構造を製造する実用的な解決になるであろう。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ケイ素 ,  ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  *ポリシラン ,  *埋込み【挿入】 ,  脱水素 ,  計算機シミュレーション ,  Born-Oppenheimer近似 ,  電子構造 ,  磁気的性質
準シソーラス用語： *シリセン ,  ナノフレーク ,  ナノリボン ,  分子動力学シミュレーション

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 脱水素 ,  ポリシラン ,  シリセン ,  ナノ構造