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J-GLOBAL ID：201702235723706387   整理番号：17A1096252

増感太陽電池用のCuInS_2量子ドットの欠陥の調整【Powered by NICT】

Tailoring defects of CuInS₂ quantum dots for sensitized solar cells

著者 (8件)： Cai Chunqi (Zhejiang Key Laboratory of Carbon Materials, College of Chemistry and Material Engineering, Wenzhou University, Wenzhou 325027, People’s Republic of China) ,  Zhai Lanlan (Zhejiang Key Laboratory of Carbon Materials, College of Chemistry and Material Engineering, Wenzhou University, Wenzhou 325027, People’s Republic of China) ,  Wu Qinqin (Zhejiang Key Laboratory of Carbon Materials, College of Chemistry and Material Engineering, Wenzhou University, Wenzhou 325027, People’s Republic of China) ,  Ma Yahui (Zhejiang Key Laboratory of Carbon Materials, College of Chemistry and Material Engineering, Wenzhou University, Wenzhou 325027, People’s Republic of China) ,  Zhang Lijie (Zhejiang Key Laboratory of Carbon Materials, College of Chemistry and Material Engineering, Wenzhou University, Wenzhou 325027, People’s Republic of China) ,  Yang Yun (Zhejiang Key Laboratory of Carbon Materials, College of Chemistry and Material Engineering, Wenzhou University, Wenzhou 325027, People’s Republic of China) ,  Zou Chao (Zhejiang Key Laboratory of Carbon Materials, College of Chemistry and Material Engineering, Wenzhou University, Wenzhou 325027, People’s Republic of China) ,  Huang Shaoming (Zhejiang Key Laboratory of Carbon Materials, College of Chemistry and Material Engineering, Wenzhou University, Wenzhou 325027, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 719  ページ： 227-235  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 組成と対応する欠陥状態のために,量子ドット(QD)の光学的および電子的性質を量子ドット増感太陽電池(QDSC)の性能に大きな影響を持っている。Cu欠乏から意図的に導入された欠陥を有する一連のCuInS_2QDは有機金属高温法による大気環境下で合成した。長寿命のCuInS_2QDの調整可能な光ルミネセンスの特徴は,主にドナー-アクセプタ対再結合に起因して,全発光プロフィルに70%以上寄与し実証した。CuInS_2QD TiO_2への電子移動(k_.)の速度定数は0.09×10~10s~ 1~1.48×10~10s~ 1に,QDの組成に依存した。CuInS_2QDSCは1太陽照明下で5.71%の電力変換効率を示した。CuInS_2QDSCの改善された光起電力性能は主にQDにTiO_2膜から~950nmまで広がった光電子応答範囲および高速電子注入に起因し,それは700nm以下の窓で60%を超える強い光応答を提供した。組成変調によって作り出された欠陥と結合した合成法は,高性能QDSCの目標に向けて新しいアプローチを紹介した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再結合 ,  化学合成 ,  *太陽 ,  *増感 ,  光電子 ,  *銅 ,  照明 ,  光ルミネセンス ,  *太陽電池 ,  電子移動 ,  ドナー-アクセプタ対 ,  *量子ドット ,  光起電力
準シソーラス用語： 電子注入 ,  電力変換効率 ,  量子ドット太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 量子ドット ,  欠陥 ,  CuInS_2 ,  電子移動

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  硫黄とその化合物  (YB02020L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 増感 ,  太陽電池 ,  量子ドット ,  欠陥